近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會上，中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所高級工程師、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室李士顏分享了碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展，包括當(dāng)前市場及應(yīng)用，發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢、關(guān)鍵技術(shù)等內(nèi)容。

 

對比Si IGBT：開關(guān)損耗優(yōu)勢顯著，導(dǎo)通損耗也更低。對比Si MOSFET：比導(dǎo)通電阻低，而且全溫度區(qū)間變化小。商用SiC肖特基二極管于2001、SiC MOSFET 2011年推出，目前已進(jìn)入商業(yè)推廣階段。SiC MOSFET市場規(guī)模提升迅速，已超過SiC肖特基二極管，2024年市場占比將達(dá)70%以上。主要應(yīng)用1700V以下中低壓器件，目前650V器件市場占比超過60%。功率模塊成為SiC MOSFET器件重要的產(chǎn)品應(yīng)用形式，占比不斷提升。
 

PFC和電源應(yīng)用市場規(guī)模約1.5億美元/年，約占整個分立器件市場的1/3。具有提高效率、降低損耗、縮小電源模塊尺寸、降低EMI的優(yōu)勢。光伏逆變器應(yīng)用市場規(guī)模約1億美元/年，未來幾年仍將保持較高的增長率。具有提高效率、降低重量、減小體積、降低EMI等應(yīng)用優(yōu)勢。電動汽車應(yīng)用市場規(guī)模將是未來幾年SiC器件市場增長的最主要動力，具有提高續(xù)航能力、降低系統(tǒng)成本及使用成本、降低CO2排放等應(yīng)用優(yōu)勢。
 

新能源汽車是SiC產(chǎn)業(yè)機(jī)遇，豐田、大眾、日產(chǎn)、本田、比亞迪等公司也都將SiC功率器件，作為未來新能源汽車電機(jī)控制器首選解決方案。其他還有比如軌道交通、輸變電系統(tǒng)、航天器、軍事應(yīng)用等重大應(yīng)用需求。

報告指出，國際上SiC電力電子器件技術(shù)處于快速發(fā)展期，快速推進(jìn)新能源汽車等領(lǐng)域的批量應(yīng)用。國基南方SiC G1DMOS技術(shù)初步建立，正在進(jìn)行650-1700V產(chǎn)品的市場推廣，提升穩(wěn)定供貨能力。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）