昨日，賽微電子發(fā)布公告稱，其與青州市人民政府簽署了《合作協議》，以共同推進 6-8 英寸GaN氮化鎵功率器件半導體制造項目。
公告內容顯示，賽微電子擬在青州經濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資 10 億元分期建設聚能國際 6-8 英寸氮化鎵功率器件半導體制造項目。項目總占地面積 30 畝，一期建成投產后將形成 月產 5000 片6-8英寸 GaN 芯片晶圓的能力，二期建成投產后將形成 12,000 片/月的生產能力。
賽微電子表示，該項目一期計劃建設周期為 9 個月，今年底前做好投產前準備，2022上半年可投入生產，一期產能投產達效后預計可新增年銷售收入 5 億元。
賽微電子稱，這一與青州政府的合作項目有利于自身進一步完善 GaN 業(yè)務的全產業(yè)鏈 IDM（垂直整合制造）布局，在現有產業(yè)鏈合作基礎上進一步加強產能保障，把握 GaN 業(yè)務發(fā)展的關鍵機遇窗口，逐步形成自主可控、全本土化、可持續(xù)拓展的 GaN 材料、設計、制造能力。
