據長沙高新區(qū)網站報道，目前，位于長沙高新區(qū)的湖南三安半導體項目即將迎來新的進展，報道指出，該項目一期部分廠房已完工，預計6月底首批設備點亮。
湖南三安半導體項目是省市重點工程，總投資160億元，總占地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產權的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業(yè)鏈生產與研發(fā)基地，項目建成達產后有望形成超百億元的產業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產業(yè)產值預計逾千億元。
該項目建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業(yè)鏈，研發(fā)、生產及銷售6寸SIC導電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。該項目投產后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等。
湖南湘江新區(qū)黨工委書記鄭建新此前表示，長沙三安第三代半導體項目作為長沙17個制造業(yè)標志性重點項目之一，必將成為推動長沙新一代半導體及集成電路產業(yè)鏈發(fā)展的重大動力。
