極紫外光刻機(jī)（EUV）目前是先進(jìn)半導(dǎo)體制程中，不論是DRAM或晶圓代工生產(chǎn)過(guò)程中，進(jìn)一步提升效能的關(guān)鍵之一。而目前荷蘭商ASML則是全球唯一量產(chǎn)EUV光刻機(jī)的廠商，包括臺(tái)積電、三星、英特爾的先進(jìn)制程都要依賴EUV光刻機(jī)來(lái)生產(chǎn)。現(xiàn)階段，每臺(tái)光刻機(jī)的單價(jià)將近1.5億美元。不過(guò)，ASML的EUV光刻機(jī)目前出貨的是使用光源波長(zhǎng)在13.5nm左右的第一代產(chǎn)品，其物鏡的NA數(shù)孔徑是0.33。根據(jù)ASML表示，第2代的EUV光刻機(jī)目前已經(jīng)進(jìn)入開(kāi)發(fā)階段。
據(jù)了解，首代EUV光刻機(jī)量產(chǎn)的型號(hào)為NXE：3400B，其產(chǎn)能為每小時(shí)125PWH。至于，目前ASML的出貨主力是NXE：3400C，產(chǎn)能提升到135WPH。另外，預(yù)計(jì)2021年底還有NXE：3600D系列產(chǎn)品將推出，產(chǎn)能再進(jìn)一步提升到160WPH。只不過(guò)，屆時(shí)的出貨價(jià)格也會(huì)提升到1.45億美元左右。
為了提升生產(chǎn)效率，ASML準(zhǔn)備推出的第2代EUV光刻機(jī)型號(hào)將會(huì)是NXE：5000系列，其物鏡的NA值將提升到0.55，進(jìn)一步提高曝光的精度。然而，NA值0.55的第2代EUV光刻機(jī)在當(dāng)前研發(fā)階段遭遇了瓶頸，使得原本預(yù)計(jì)最快2023年問(wèn)世的時(shí)程，傳出可能將延后到2025-2026年才有可能問(wèn)世，等于一舉延后了近3年的時(shí)間，這也使得市場(chǎng)人士擔(dān)心將影響到整體半導(dǎo)體制程的研發(fā)狀況。
只是，對(duì)于ASML在第2代EUV光刻機(jī)可能遭遇研發(fā)瓶頸，因此將延后問(wèn)世的情況，如今有來(lái)了神隊(duì)友的救援。外媒報(bào)道指出，日本最大半導(dǎo)體鍍膜極蝕刻設(shè)備公司東京電子（東京威力科創(chuàng)TokyoElectron）宣布，將于鍍膜/顯影技術(shù)上與ASML合作，以聯(lián)合發(fā)展下一代EUV光刻機(jī)的研發(fā)生產(chǎn)，以維持原本2023年問(wèn)世的期程。另外，除了東京電子之外，比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）也是參與合作的伙伴。
報(bào)道表示，東京電子指出，藉旋金屬抗蝕劑以顯示出高解析度和高蝕刻電阻，有望使圖案更加精細(xì)。然而，含有金屬的抗蝕劑需要對(duì)復(fù)雜的圖案尺寸進(jìn)行控制，以及對(duì)芯片背面/斜面金屬污染的較好掌握。因此，為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，涂層/開(kāi)發(fā)人員正在聯(lián)合高NA實(shí)驗(yàn)室來(lái)安裝先進(jìn)的制程模組，以其能夠處理含金屬的抗蝕劑。
