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賽晶科技自主技術IGBT生產(chǎn)線進入試生產(chǎn)階段

日期:2021-06-24 來源:中國證券報·中證網(wǎng)閱讀:264
核心提示:賽晶科技(00580.HK)6月23日晚公告,旗下子公司賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司于6月23日舉行了絕緣柵雙極晶體管(IGBT)生
賽晶科技(00580.HK)6月23日晚公告,旗下子公司賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司于6月23日舉行了絕緣柵雙極晶體管(IGBT)生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)儀式。這標志著其IGBT生產(chǎn)線進入試生產(chǎn)階段。

賽晶科技董事會主席項頡表示:“一旦公司產(chǎn)品批量供貨,項目產(chǎn)能釋放,有望幫助市場與企業(yè)解決缺貨問題,緩解國內(nèi)供需失衡的現(xiàn)狀。同時,公司會加快IGBT系列產(chǎn)品的研發(fā)、推進后續(xù)生產(chǎn)線的建設,力爭盡早讓賽晶品牌IGBT出現(xiàn)在千千萬萬的電動汽車、風力發(fā)電、光伏發(fā)電、工業(yè)變頻設備中。”
 
據(jù)了解,目前中國大陸處于功率半導體器件供應鏈的相對末端,產(chǎn)品以二極管、晶閘管、低壓 MOSFET等低功率半導體器件為主,中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%,而功率半導體是未來可預見的自主可控進度最快的細分領域之一。其中,IGBT被視為電力領域的“CPU”,對新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保等眾多國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
 
賽晶科技IGBT項目規(guī)劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產(chǎn)線,5條IGBT模塊封裝測試生產(chǎn)線,建成后年產(chǎn)能將達到200萬件IGBT模塊產(chǎn)品。公司IGBT產(chǎn)品應用將涵蓋600V至1700V的中低壓領域,面向電動汽車、光伏風電、工業(yè)變頻等市場。
 
賽晶科技表示,IGBT生產(chǎn)線的投產(chǎn)有助于提高公司的市場競爭力,對未來的經(jīng)營業(yè)績帶來積極影響。由于生產(chǎn)線從投產(chǎn)到達產(chǎn)尚需一定時間,預期產(chǎn)能的釋放需要過程;同時,短期內(nèi)還有固定成本增加的壓力,投資者應注意投資風險。
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