半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)根據(jù)公開消息整理：臺積電、北方華創(chuàng)、安世半導體、聯(lián)發(fā)科、三星電子、晟碟半導體等公司近期最新動態(tài)，以及行業(yè)動態(tài)如下（僅供參考）：

 

日前，臺積電南京廠擴產(chǎn)計劃獲中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟部投審會（以下簡稱“投審會”）審議通過。報道指出，投審會昨日開委員會議，針對臺積電南京廠擴廠一案進行審議，經(jīng)委員會議討論后，同意臺積電南京廠擴產(chǎn)案的投資計劃變更。對于通過臺積電南京廠擴產(chǎn)計劃的理由，投審會表示，首先，臺積電這次的擴產(chǎn)計劃，未涉及增加股本投資，且是運用既有廠房進行產(chǎn)能擴充，再者南京廠原經(jīng)關(guān)鍵技術(shù)小組審查通過的制程技術(shù)為16納米，本次擴廠系采用成熟的28納米制程；此外，臺積電已提出強化實體廠區(qū)及資訊存取等知識產(chǎn)權(quán)保護措施，并承諾未來三年每年會在臺灣地區(qū)投資約新臺幣6000億元至6500億元，包括持續(xù)以臺灣地區(qū)為最主要據(jù)點、持續(xù)在臺灣地區(qū)創(chuàng)造優(yōu)質(zhì)工作機會等計劃。臺積電今年2月董事會通過將斥資28億美元（約新臺幣794億元）擴建南京廠，建置月產(chǎn)4萬片的28納米產(chǎn)能。據(jù)了解，臺積電南京廠將規(guī)劃擴增的28納米新產(chǎn)能預計2022年下半年逐步開出，2023年中達到月產(chǎn)4萬片規(guī)模。
 

7月27日，浙江省臺州椒江區(qū)百日大會戰(zhàn)重大項目集中簽約儀式舉行。會上，10個高端制造業(yè)和頂尖人才領(lǐng)銜項目簽約，總投資額達227億元，其中包括鍺硅、砷化鎵第三代半導體和化合物半導體襯底片制造兩個半導體項目，兩大項目合計投資達105億元。鍺硅、砷化鎵第三代半導體項目。項目由廣州東方南粵基金管理有限公司與中國二冶集團有限公司共同投資開發(fā)，計劃總投資100億元，用地500畝，一期用地200畝。該項目計劃在臺州灣數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園建設(shè)鍺硅、砷化鎵第三代化合物半導體芯片項目，產(chǎn)品廣泛應用于通訊、汽車電子、電力、5G基站、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能以及軍工等行業(yè)，達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值90億元，年稅收10億元?；衔锇雽w襯底片制造項目計劃總投資5億元，用地50畝，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)200萬片4英寸砷化鎵晶片和年產(chǎn)100萬片6英寸砷化鎵晶片的生產(chǎn)線，達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年銷售收入8億元。

 

7月26日，北方華創(chuàng)發(fā)布公告稱，中國證監(jiān)會發(fā)行審核委員會于2021年7月26日對公司非公開發(fā)行股票的申請進行了審核。根據(jù)會議審核結(jié)果，公司本次非公開發(fā)行股票的申請獲得審核通過。今年4月份，據(jù)北方華創(chuàng)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行股票預案顯示，其擬募資不超過85億元投建于“半導體裝備產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（四期）”、“高端半導體裝備研發(fā)項目”和“高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（三期）”的建設(shè)，并補充流動資金。目前，北方華創(chuàng)的刻蝕機、PVD、CVD、ALD、氧化/擴散爐、退火爐、清洗機、外延設(shè)備等產(chǎn)品在集成電路及泛半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)應用，成為國內(nèi)主流半導體設(shè)備供應商；在電阻、電容、晶體器件等精密電子元器件領(lǐng)域，公司是國內(nèi)高可靠電子元器件的重要供應商。北方華創(chuàng)稱，通過本次募集資金投資項目的實施，公司高端半導體裝備的產(chǎn)業(yè)化能力將進一步提升，技術(shù)水平也將有所增強，公司整體技術(shù)實力也將不斷提高；高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地的擴產(chǎn)建設(shè)也將進一步提升公司的盈利能力。通過本次非公開發(fā)行，公司將進一步提高自身技術(shù)實力，鞏固公司行業(yè)領(lǐng)先地位，同時亦有助于推動我國高端集成電路裝備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，創(chuàng)造良好的經(jīng)濟社會效益。

 

安世、博通、安森美、意法半導體、高通等業(yè)內(nèi)知名廠商目前產(chǎn)品最長交期均已超過52周，而最新消息顯示，安世半導體部分產(chǎn)品的交期甚至已進一步延長至69周。據(jù)主流IC分銷平臺“貿(mào)澤電子”等網(wǎng)站的實時數(shù)據(jù)顯示，安世半導體MOSFET器件中，已有包括30V N溝道MOSFET、GaN FET、功率MOSFET等在內(nèi)的144款產(chǎn)品處于無庫存狀態(tài)，缺貨產(chǎn)品的交貨周期均已長達69周。與交期延長相對應的是價格的大幅上漲：根據(jù)貿(mào)澤電子平臺歷史價格數(shù)據(jù)顯示，安世半導體缺貨產(chǎn)品的采購價普遍上調(diào)，漲幅最大的PSMN1R4-40YLDX器件，千件單價由6.2715元/件上漲至 8.6445 元/件，漲幅+37.84%；PSMNR51-25YLHX器件由10.4186元/件上漲至 14.2832元/件，漲幅+37.09%；PSMN1R0-40YSHX器件由11.4243元/件上漲至 15.2776元/件，漲幅+33.73%；其余器件的采購價漲幅也在6%-21%不等。

 

聯(lián)發(fā)科公司日前宣布，此前宣布的8500萬美元收購英特爾旗下電源管理芯片業(yè)務的交易取消，雙方共同中止了交易。但聯(lián)發(fā)科并沒有說明交易取消的具體原因。聯(lián)發(fā)科強調(diào)，上述相關(guān)變動對公司無重大影響，也不影響目前雙方其他商務合作。去年11月16日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布公告稱，將通過子公司立锜并購Intel旗下Enpirion電源管理芯片產(chǎn)品線相關(guān)資產(chǎn)，預計總交易金額約8500 萬美元（約合人民幣5.6億元左右），交易完成日期暫定第四季，實際日期代相關(guān)法律程序完備后交割。Intel官網(wǎng)資料顯示，Intel Enpirion電源管理模組為DC轉(zhuǎn)DC降壓轉(zhuǎn)換產(chǎn)品，為市場上較高端的解決方案，可整合電源管理所需元件，滿足 FPGA、ASIC、CPU與其他半導體電源要求。

 

三星電子去年開始運營的位于京畿道平澤的半導體生產(chǎn)線，因供氣問題于27日晚停止運營。三星電子平澤P2生產(chǎn)線在昨天下午6點左右因氮氣（N2）供應中斷而停產(chǎn)，經(jīng)過工程師搶修后，現(xiàn)已恢復運營。一位負責人表示，工廠幾乎立即就可以正常運行，因此沒有產(chǎn)生太大的損失。位于平澤的P2生產(chǎn)線是三星電子去年開始運營的最新、最先進的半導體生產(chǎn)線?？偨ㄖ娣e為12.89萬平方米，有16個足球場大小，為世界之最。工廠是DRAM、NAND閃存和5nm以下的超精細系統(tǒng)半導體代工生產(chǎn)的復合線。

 

近日，西部數(shù)據(jù)公司旗下全資子公司——晟碟半導體（上海）有限公司舉行了其上海工廠三期廠房擴建項目的竣工儀式。晟碟半導體（上海）有限公司主要從事先進閃存存儲產(chǎn)品的研發(fā)、封裝和測試，自2006年落戶紫竹高新區(qū)以來，注冊資本從3200萬美元增加至2.7億美元，投資總額自9600萬美元擴大到8.2億美元。作為西部數(shù)據(jù)公司除深圳工廠之外在華的另一大型工廠，此次晟碟半導體三期廠房擴建項目約11,800平方米，總投資約10億元人民幣。擴建工程于2020年7月28日開工，經(jīng)過不到一年的建設(shè)周期，整體項目即完成竣工。

 

鍺硅、砷化鎵第三代半導體項目由廣州東方南粵基金管理有限公司與中國二冶集團有限公司共同投資開發(fā)，計劃總投資100億元，用地500畝，一期用地200畝。項目計劃在臺州灣數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園建設(shè)鍺硅、砷化鎵第三代化合物半導體芯片項目，產(chǎn)品廣泛應用于通訊、汽車電子、電力、5G基站、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能以及軍工等行業(yè)，達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值90億元，年稅收10億元?；衔锇雽w襯底片制造項目計劃總投資5億元，用地50畝，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)200萬片4英寸砷化鎵晶片和年產(chǎn)100萬片6英寸砷化鎵晶片的生產(chǎn)線，達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年銷售收入8億元。