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中科半導體氮化鎵外延片及單晶襯底材料研發(fā)生產項目落戶贛州經開區(qū)

日期:2021-08-24 來源:半導體產業(yè)網閱讀:360
核心提示:近日,據(jù)贛州經濟技術開發(fā)區(qū)招商引資消息,8月17日上午,贛州經開區(qū)舉行2021年第9批招商引資項目線上集中簽約儀式,此次簽約共有6個項目。
近日,據(jù)贛州經濟技術開發(fā)區(qū)招商引資消息,8月17日上午,贛州經開區(qū)舉行2021年第9批招商引資項目線上集中簽約儀式,此次簽約共有6個項目。
 
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圖片來源:贛州經濟技術開發(fā)區(qū)招商引資
 
此次簽約項目包括深圳市中科半導體科技有限公司(以下簡稱“中科半導體”)氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料的研發(fā)生產項目,主要生產2-4寸氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料。該項目總投資2億元,預計達產達標后,可實現(xiàn)年營業(yè)收入3.6億元,年納稅4000萬元。
 
據(jù)企查查信息,中科半導體成立于2021年5月,法定代表人為任順標,注冊資本為1000萬元,主要經營范圍包含半導體技術研發(fā);新材料技術、節(jié)能技術研發(fā)等。 
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