2021年12月6-8日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，“IFWS& SSLCHINA 2021：功率電子器件與應(yīng)用論壇（碳化硅功率器件專場）“將于12月6日舉行，特別邀請美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor VELIADIS，深圳欣銳科技股份有限公司董事長吳壬華，美國俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會士Anant AGARWAL，中國電子科技集團公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部副主任鞏小亮，大連理工大學(xué)教授王德君，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司LED及化合物半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理王顯剛，蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜，德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文，廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理、廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家林挺宇，中國科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心副研究員侯峰澤，全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院高級工程師張祎慧， 復(fù)旦大學(xué)張園覽等代表性先進研究力量，分享碳化硅功率器件技術(shù)的最新進展。浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授盛況，復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純將共同主持本次論壇。
作為一年一度的行業(yè)盛會，論壇及同期活動將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動向及技術(shù)趨勢，為除了開幕大會、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國內(nèi)外前沿進展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對接資源，洽談商機，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
部分嘉賓簡介
盛況,浙江大學(xué)浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長，求是特聘教授。長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應(yīng)用研究，包括芯片設(shè)計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用，2009年回國創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團隊。
團隊承擔(dān)了電力電子器件及應(yīng)用領(lǐng)域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發(fā)計劃項目及課題、自然科學(xué)基金委杰出青年基金、自然科學(xué)基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應(yīng)用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結(jié)SiC肖特基二極管設(shè)計方法并報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ•cm2，品質(zhì)因子FOM達國際前列）SiC超級結(jié)二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)并報道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅(qū)動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯(lián)模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發(fā)了高壓大容量硅基IGBT芯片等。團隊也和國內(nèi)外著名企業(yè)開展合作推進成果的產(chǎn)業(yè)化，合作企業(yè)包括國家電網(wǎng)、中車、中電集團、華為、華潤微電子、臺達、德國英飛凌、美國福特等公司，實現(xiàn)了碳化硅和硅基電力電子芯片的產(chǎn)業(yè)化。相關(guān)的成果在國際頂級學(xué)術(shù)期刊及會議發(fā)表論文200余篇，引用次數(shù)2700次以上，獲授權(quán)專利20余項（40余項申請中），2010年獲浙江省自然科學(xué)二等獎，2019年獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎。
張清純,復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、教授.長期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。迄今撰寫過100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)Ｖ?；多次受邀在國際碳化硅、功率半導(dǎo)體的學(xué)術(shù)會議上作大會報告；作為第一和合作發(fā)明人，擁有75多項美國專利；多次擔(dān)任ISPSD技術(shù)委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術(shù)路線圖研討會聯(lián)合主席等。研究方向：半導(dǎo)體物理與器件；寬帶半導(dǎo)體器件物理、工藝、測試、產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用；器件模擬及仿真；電力系統(tǒng)。
Victor VELIADIS,美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官,美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授。美國電力是美國能源部寬禁帶電力電子公私合營制造機構(gòu)。Veliadis博士管理著超過3000萬美元每年的預(yù)算，他戰(zhàn)略性地分配了超過35個工業(yè)、大學(xué)和國家實驗室項目，以使美國在寬禁帶電力電子制造，勞動力發(fā)展，創(chuàng)造就業(yè)和節(jié)約能源方面處于領(lǐng)先地位。Veliadis博士至今已進行過超過60次的邀請演講、報告或教學(xué)指導(dǎo)，他是一位IEEE會士，同時是一位IEEE電子器件協(xié)會杰出講師。他持有25項美國專利，給3部書寫過章節(jié)，并發(fā)布過115個同行評審的技術(shù)出版物。Victor VELIADIS博士同時還任北卡羅萊納州立大學(xué)教授。在2016年被任命為Power America的副執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官之前，Veliadis博士在半導(dǎo)體行業(yè)工作了21年，他的工作內(nèi)容包括SiC SIT、JFET、MOSFET、半導(dǎo)體閘流管、JBS、肖特基二極管、和1-12 kV范圍內(nèi)的PiN二極管的設(shè)計、制造和測試。
吳壬華，深圳欣銳科技股份有限公司董事。1991年9月至1993年6月,在日本九州大學(xué)工學(xué)部電子工學(xué)科擔(dān)任訪問學(xué)者;1993年7月至1997年2月,就職于日本NEMIC-LAMBDA株式會社(現(xiàn)名為TDK-Lambda株式會社)技術(shù)本部,擔(dān)任高級工程師;1997年2月至2004年12月,就職于深圳市華為電氣技術(shù)有限公司(現(xiàn)更名為“維諦技術(shù)有限公司”),擔(dān)任副總裁等職務(wù);2005年1月創(chuàng)辦深圳欣銳科技股份有限公司,現(xiàn)任董事長兼總經(jīng)理。
Anant AGARWAL，美國俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會士
王德君，大連理工大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師（微電子、控制、凝聚態(tài)物理），曾先后服務(wù)于北京大學(xué)、名古屋大學(xué)和奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)。研究方向:1. 智能電子控制及安全；傳感器與傳感網(wǎng)；2. 人工智能類腦芯片技術(shù)；3. 半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵電子器件科學(xué) S；4. 半導(dǎo)體缺陷物理學(xué)。
林挺宇，廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理，廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家。長期從事微電子封裝及可靠性方面的研究，曾主持制定適合于我國生產(chǎn)和研發(fā)基礎(chǔ)的戰(zhàn)略和規(guī)劃技術(shù)方案、建立世界級的PCBA/SMT工藝設(shè)計標(biāo)準、實現(xiàn)2.5D整體工藝流程的貫通，填補國內(nèi)在2.5D/3D整體集成技術(shù)上的空白，參與領(lǐng)導(dǎo)多項國家02專項，任課題組長及首席科學(xué)家，并在2015/2017榮獲中國半導(dǎo)體新技術(shù)獎。
鈕應(yīng)喜， 蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)，安徽省技術(shù)領(lǐng)軍人才。主要從事第三代半導(dǎo)體材料和器件的研制；申請國家專利64項；牽頭編制國家標(biāo)準兩項，發(fā)布行業(yè)標(biāo)準一項，團體標(biāo)準多項。發(fā)表論文40余篇；作為項目負責(zé)人主持安徽省重大項目2項；作為任務(wù)課題負責(zé)人承擔(dān)2項國家重點研發(fā)計劃和863項目。
方子文博士畢業(yè)于英國利物浦大學(xué)工程學(xué)院，主修先進半導(dǎo)體沉積技術(shù)，現(xiàn)任AIXTRON中國區(qū)市場營銷和工藝高級部門經(jīng)理。他在AIXTRON曾擔(dān)任工藝科學(xué)家，實驗室部門經(jīng)理等職，精通三五族化合物半導(dǎo)體MOCVD外延材料生長、制備和測試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產(chǎn)品使用的外延材料。
王顯剛，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司LED及化合物半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理，歷任北方華創(chuàng)銷售經(jīng)理、銷售總監(jiān)、LED行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理等職位；多年從事LED行業(yè)，并專注于外延芯片制程高端裝備的開發(fā)與銷售積極探索行業(yè)發(fā)展，與同事致力于為行業(yè)導(dǎo)入新裝備與新技術(shù)，刻蝕與薄膜多款國產(chǎn)設(shè)備已成為行業(yè)主流首選設(shè)備，ALN制程設(shè)備已成為行業(yè)標(biāo)準制程。
最新日程如下：
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F1-功率電子器件與應(yīng)用論壇（碳化硅功率器件）
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時間：2021年12月6日
地點：深圳會展中心• 六層茉莉廳
Time: Dec 6th，2021
Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 6th Floor Jasmine Hall
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
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主持人
Moderator
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盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
張清純——復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
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13:30-13:55
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SiC Mass Commercialization: Present Status and Barriers
Victor VELIADIS-- Chief Officer and CTO of Power America, Professor of North Carolina State University
Victor VELIADIS--美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授
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13:55-14:15
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SiC器件和模塊的最新進展
Recent Advances of SiC Power Devices (TBD)
張清純-復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
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14:15-14:35
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SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用
Application of SiC devices in the new energy automobile industry
吳壬華--深圳欣銳科技股份有限公司董事長
WU Renhua—Chair of the Board, SHINRY
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14:45-15:10
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The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?
Anant AGARWAL—美國俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會士
Anant AGARWAL—Professor of The Ohio State University, IEEE Fellow
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SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展
Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices
鞏小亮 — 中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任
Xiaoliang Gong— Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
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15:10-15:35
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SiC MOS器件氧化后退火新途徑——低溫再氧化退火技術(shù)A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology
王德君 大連理工大學(xué)教授
Wang Dejun Professor of Dalian University of Technology
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15:35-15:50
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茶歇/Coffee break
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15:50-16:15
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SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device
張藝蒙--西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授
Yimeng Zhang-- Professor of School of Microelectronics, Xidian University
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第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization
鈕應(yīng)喜 蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)
NIU Yingxi R&D Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
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促進寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors
方子文 德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理
FANG Ziwen Deputy General Manage，China AIXTRON SE
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先進封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用
The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics
林挺宇——廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理，廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家
Tingyu LIN—Deputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute
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16:15-16:40
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高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)
Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging
侯峰澤—中國科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心副研究員
Fengze Hou—Associate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
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16:40-17:05
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用于SiC功率器件的先進封裝解決方案
Advanced packaging solution for SiC power devices
張靖—賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)
ZHANG Jing—Director of Innovation China of Heraeus Electronics
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壓裝式IGBT雙面熱阻測試方法的研究與應(yīng)用Research and Application of Double-sided Thermal Resistance Test Method for Press-pack IGBT
張祎慧
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17:05-17:30
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High-Efficiency 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Better FOM based on Charge-Balance Strategy
張園覽--復(fù)旦大學(xué)
Yuan-Lan ZHANG—Fudan University
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備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場為準。
附件：論壇資料
第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。在過去的六年時間里，IFWS延請寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國際頂級學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內(nèi)的全球最頂級專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個專業(yè)報告，累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
國際第三代半導(dǎo)體論壇與中國國際半導(dǎo)體照明論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
2021先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會議最新信息：
論壇信息
會議時間：2021年12月6-8日
會議地點：深圳會展中心（福田區(qū)）
會議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場為準。
注冊費用權(quán)益表
備注：
＊國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續(xù)費。
＊SSL相關(guān)會議包含：開幕大會、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會議包含：開幕大會、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準與檢測研討會、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設(shè)計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
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賈先生
010-82380580
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