張進成，博士，二級教授，博士生導(dǎo)師，教育部長江學(xué)者特聘教授，領(lǐng)軍人才，卓越青年基金獲得者，國務(wù)院政府特殊津貼專家，陜西省三秦學(xué)者特聘教授?，F(xiàn)任西安電子科技大學(xué)副校長、寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國家級重點實驗室副主任，曾擔(dān)任ICNS、DRIP、APWS等國際學(xué)術(shù)會議電子器件分會主席，微電子學(xué)院副院長，科學(xué)研究院院長。主要研究領(lǐng)域為寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，發(fā)表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權(quán)發(fā)明專利80余項，成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學(xué)成果一等獎1項。1998年起師從中國科學(xué)院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件研究，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。

張波，教授，博士生導(dǎo)師，電子科技大學(xué)集成電路研究中心主任。國家自然科學(xué)基金委員會第十二屆專家評審組專家；國家“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”科技重大專項總體組專家（2008-2013）；國家“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項總體組特聘專家；國家集成電路人才培養(yǎng)基地專家組專家；中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事；中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會理事；四川省電子學(xué)會半導(dǎo)體集成技術(shù)專委會主任等。1985年本科畢業(yè)于北京工業(yè)學(xué)院（現(xiàn)北京理工大學(xué)）半導(dǎo)體專業(yè)，同年推薦免試進入成都電訊工程學(xué)院（現(xiàn)電子科技大學(xué)）修讀半導(dǎo)體專業(yè)工學(xué)碩士學(xué)位。1988年4月研究生畢業(yè)后留校工作于微電子科學(xué)與工程系，1990年被評為助理研究員（講師），1994年7月破格晉升副教授。1996年5月，受國家教委委派，以高級訪問學(xué)者身份赴美國Virginia理工大學(xué)進修，1996年11月－1999年11月，在美國國家工程中心功率電子系統(tǒng)中心（CPES）繼續(xù)從事研究工作，參加了由美國科學(xué)基金、美國海軍部、Intel公司、HARRIS公司等資助的十余項科研項目研究。1999年11月回國工作，2000年7月被破格晉升教授，2002年被聘為博士生指導(dǎo)教師。2000年被評為四川省跨世紀青年學(xué)科帶頭人，2002年教育部“高校青年教師獎”獲得者，2005年被評為成都市“十大杰出青年”，政府特殊津貼獲得者，成都市有突出貢獻優(yōu)秀專家，四川省有突出貢獻優(yōu)秀專家，四川省學(xué)術(shù)和技術(shù)帶頭人，2013年入選國家“有突出貢獻中青年專家”和“國家百千萬人才工程”。從1980年代起即致力于新型功率半導(dǎo)體技術(shù)研究，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)表SCI收錄論文200余篇、EI收錄論文300余篇，獲中美發(fā)明專利授權(quán)80余項，獲國家科技進步二等獎等國家及部級科研獎勵11項（其中牽頭獲得2010年國家科技進步二等獎）。所領(lǐng)導(dǎo)的實驗室在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已培養(yǎng)出博士50名、碩士600余名。在教學(xué)與學(xué)術(shù)研究的同時為境內(nèi)外企業(yè)成功開發(fā)了百余種（款）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新工藝和新產(chǎn)品，實現(xiàn)銷售數(shù)億只。