近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。

期間， “IFWS& SSLCHINA 2021：碳化硅功率器件與封裝應(yīng)用論壇“成功召開。會(huì)議由蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦支持。蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司董事長趙清和復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純聯(lián)袂主持。

會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)

主持人：蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司董事長 趙清

會(huì)上，美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor VELIADIS，復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純，深圳欣銳科技股份有限公司董事長吳壬華，美國俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會(huì)士Anant AGARWAL，中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部副主任鞏小亮，大連理工大學(xué)教授王德君，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司LED及化合物半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理王顯剛，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授張藝蒙，蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜、德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文，廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理，廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家林挺宇，中國科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心副研究員侯峰澤，復(fù)旦大學(xué)張園覽等精英專家們帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。

美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor VELIADIS在線分享了“碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙”主題報(bào)告。他在報(bào)告中概述碳化硅 (SiC) 的有利材料特性，這些特性可用于實(shí)現(xiàn)外形尺寸和冷卻要求更低的高效功率器件。并展示高影響力的應(yīng)用機(jī)會(huì)，其中 SiC 器件正在取代其現(xiàn)有的 Si 器件。在材料和器件制造方面重點(diǎn)是那些不是從成熟的硅制造領(lǐng)域繼承下來的工藝，因此是碳化硅特有的。報(bào)告中介紹了平面和溝槽 MOSFET 的設(shè)計(jì)，它們目前被植入到大多數(shù)基于 SiC 的電力電子系統(tǒng)中。并分析了 Fab 模型，展示充滿活力的美國 SiC 制造基礎(chǔ)設(shè)施，討論 SiC 大規(guī)模商業(yè)化的障礙。其中包括高于硅器件的成本、可靠性和堅(jiān)固性問題、降低器件性能的缺陷，以及需要訓(xùn)練有素的勞動(dòng)力才能熟練地將 SiC 插入電力電子系統(tǒng)。

復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純分享了“SiC器件和模塊的最新進(jìn)展 ”主題報(bào)告。SiC功率器件的典型應(yīng)用有新能源汽車產(chǎn)業(yè)、充電樁、新能源發(fā)電和儲(chǔ)能，這些產(chǎn)業(yè)都和碳中和息息相關(guān)。報(bào)告系統(tǒng)介紹了SiC功率器件應(yīng)用、對(duì)低碳發(fā)展的意義以及國內(nèi)SiC器件代工線最新進(jìn)展。SiC的電力電子器件包括650伏到1700伏的二極管和MOSFET的研發(fā)和商品化以及如何降低器件的成本及其技術(shù)路線圖等內(nèi)容，并對(duì)新一代器件技術(shù)的提高途徑和取得的重大進(jìn)步方面也作了進(jìn)一步的闡述。

深圳欣銳科技股份有限公司董事長吳壬華博士分享了“SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用”主題報(bào)告。他指出，欣銳科技“十六年磨一劍”專注新能源汽車業(yè)務(wù)，從成立之初確定電力電子能量變換技術(shù)、數(shù)字化實(shí)時(shí)控制和網(wǎng)絡(luò)化監(jiān)控三大核心技術(shù)，歷經(jīng)十六載鍛造的大功率電力電子能量變換技術(shù)、第三代半導(dǎo)體SiC應(yīng)用技術(shù)和軟件定義產(chǎn)品技術(shù)三大核心技術(shù)已經(jīng)成為公司三個(gè)業(yè)務(wù)板塊共同的基石。CREE&Wolfspeed早在2013年就曾官宣與欣銳科技開展深度合作。新能源汽車產(chǎn)業(yè)中存在七個(gè)SiC器件應(yīng)用場(chǎng)景，目前欣銳科技在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中車載“三電”核心零部件中DC/DC變換器、車載充電機(jī)，燃車載燃料電池系統(tǒng)DCF、空氣系統(tǒng)以及地面充電超級(jí)充電站、11KW EV 無線充電系統(tǒng)六個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中均取得了全球技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

 

欣銳科技率先推出燃料電池商用車FC-PEU大集成解決方案，不僅僅集成度得以大幅度提高，而且可實(shí)現(xiàn)“有氫加氫、無氫充電”的遠(yuǎn)景。目前已經(jīng)承接了上汽大通、廣汽埃安LX、長城F7、長安CS75、紅旗H5-FCEV等幾乎所有的國內(nèi)燃料電池乘用車項(xiàng)目（DCF集成）；并承接了清能客車/重卡項(xiàng)目、上燃專用車項(xiàng)目、杰寧重卡項(xiàng)目、濰柴重卡項(xiàng)目等主要的國內(nèi)燃料電池商用車項(xiàng)目（基于DCF的FC-PEU大集成）。在超級(jí)充電站方面，推出的SHINRY 超級(jí)充電模塊&系統(tǒng)解決方案，11KW EV無線充電系統(tǒng)均得到市場(chǎng)認(rèn)可。

 

美國俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會(huì)士Anant AGARWAL通過在線云視頻分享了“碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討”主題報(bào)告。他表示，SiC 已成功應(yīng)用于電源和光伏轉(zhuǎn)換器行業(yè)，并迅速進(jìn)入電動(dòng)汽車市場(chǎng)。碳化硅更高的結(jié)溫（硅 IGBT 中為 125°C，而碳化硅 MOSFET 中為 175°C）可用于增加功率密度以及減少車輛熱管理系統(tǒng)。與類似的 Si 系統(tǒng)相比，更高的電流能力可以為上坡駕駛、加速或轉(zhuǎn)子鎖定條件產(chǎn)生更高的電機(jī)扭矩。這些都是引人注目的優(yōu)勢(shì)，將推動(dòng)電動(dòng)汽車采用 SiC 器件，在未來十年內(nèi)開辟大約 160億美元的機(jī)會(huì)。該市場(chǎng)將成為提高 SiC 制造量從而降低成本的關(guān)鍵。目前，碳化硅器件的成本主要是碳化硅襯底和外延，主要是因?yàn)樵谶@些領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)有限，只有極少數(shù)組織。隨著新參與者被高需求和潛在商業(yè)案例吸引進(jìn)入市場(chǎng)，這些成本將大幅下降。正如 Agarwalet al所示，未來5年，隨著 200 mm SiC 的出現(xiàn)，SiC 成本將接近每安培 Si 成本的30%。這假設(shè)與相同尺寸的 Si 晶片相比，每個(gè) SiC 晶片的襯底和外延價(jià)格有非常溫和的降低，以及越來越高的總電流能力。

第三代半導(dǎo)體已成為半導(dǎo)體前沿技術(shù)制高點(diǎn)，是支撐 “新基建”和”中國制造2025“的”核芯“，對(duì)國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、國防安全具有重要戰(zhàn)略意義。中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任鞏小亮分享了”SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展”主題報(bào)告。他介紹，中國電科48所第三代半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)布局優(yōu)勢(shì)明顯，SiC外延生長設(shè)備方面，在國內(nèi)率先開發(fā)出碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備，并形成成套應(yīng)用態(tài)勢(shì)。截至2020年，SiC設(shè)備已在生產(chǎn)線應(yīng)用/簽訂合同逾20臺(tái)套，意向合同多臺(tái)套。6英寸單片式機(jī)型滿足厚外延、高均勻、低缺陷等工藝發(fā)展需求；SiC高溫高能離子注入機(jī)，注入能量、束流、均勻性、穩(wěn)定性和產(chǎn)能持續(xù)提升，批量應(yīng)用。SiC高溫激活爐滿足量產(chǎn)要求，小批量應(yīng)用，片內(nèi)/片間方阻均勻性≤1.5%。SiC高溫氧化爐柵氧厚度均勻性優(yōu)于2%，界面電子遷移率穩(wěn)定在20cm2/Vs以上，生產(chǎn)出的1200V/ 80mΩ MOSFET器件進(jìn)入下游用戶可靠性測(cè)試階段。LPCVD、PVD等Si基通用設(shè)備向第三代半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線快速滲透；立式LPCVD定制設(shè)計(jì)：標(biāo)準(zhǔn)8寸機(jī)型改兼容6寸，相比臥式LPCVD效果更優(yōu)；已通過多晶硅柵等工藝的在線批產(chǎn)驗(yàn)證。

大連理工大學(xué)王德君教授現(xiàn)場(chǎng)分享了“SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù) ”主題報(bào)告。分享了在SiC MOS器件制作過程當(dāng)中柵氧氧化后處理的一道工序，在柵氧和半導(dǎo)體之間界面會(huì)形成大量的缺陷，包括界面的缺陷、固定的電荷、柵氧內(nèi)部的缺陷、可動(dòng)離子等不理想因素，尤其是界面的缺陷和近界面處的缺陷會(huì)對(duì)器件的溝道遷移率會(huì)產(chǎn)生影響，近界面的缺陷和電荷會(huì)對(duì)器件性能的穩(wěn)定性造成影響。報(bào)告中介紹了SiC半導(dǎo)體器件制作及可靠性技術(shù)領(lǐng)域，一種利用含氯元素的氧化后退火技術(shù)改進(jìn)SiCMOSFET器件性能的方法。通過在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通過氯元素固定SiO2薄膜中的可動(dòng)離子，從而有效提升SiCMOSFET器件的穩(wěn)定性。

與已有技術(shù)相比，本發(fā)明通過在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO 2界面附近陷阱，又可以通過氯元素固定SiO 2薄膜中的可動(dòng)離子，從而有效提升SiC MOSFET器件的穩(wěn)定性。更重要的是，氮，氫和氯三種元素的最佳處理時(shí)間并不相同，通過氧化引入大量的N可以有效的消除陷阱，隨后引入的氫和氯元素可以巧妙的調(diào)整處理時(shí)間，使其既能鈍化剩余缺陷以及固定可動(dòng)離子，同時(shí)不會(huì)產(chǎn)生對(duì)柵氧絕緣層的劣化。

主持人：復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司LED及化合物半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理王顯剛分享了“化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案”主題報(bào)告，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司經(jīng)過二十年的發(fā)展，北方華創(chuàng)已成為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體裝備制造與服務(wù)商。在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，NAURA定制開發(fā)了化合物半導(dǎo)體刻蝕機(jī)、PECVD系統(tǒng)、槽式清洗系統(tǒng)和臥式擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)，為客戶提供全面的設(shè)備及工藝解決方案。北方華創(chuàng)專注器件工藝研發(fā)，包括SiN/GaN 慢速低損傷刻蝕設(shè)備，SiC通孔高速刻蝕設(shè)備，高致密、低應(yīng)力的PECVD薄膜沉積設(shè)備等均已在國內(nèi)多條主流生產(chǎn)線上批量應(yīng)用。在SiC量產(chǎn)線上，應(yīng)用于SiC功率器件的Etch、PVD、清洗設(shè)備、PEVCD、臥式爐等關(guān)鍵工藝設(shè)備在國內(nèi)主流產(chǎn)線上也已大規(guī)模應(yīng)用。國內(nèi)首臺(tái)量產(chǎn)型SiC高溫氧化退火/高溫激活立式爐在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用；公司的SiC長晶爐已在客戶端批量投入使用。

新能源汽車、高鐵機(jī)車、智能電網(wǎng)等民用電能轉(zhuǎn)化裝置對(duì)中高壓大功率、高可靠性SiC器件的迫切需求。航天電源系統(tǒng)、輻照探測(cè)系統(tǒng)、脈沖功率系統(tǒng)對(duì)抗輻照、高功率密度、高可靠性SiC功率器件的迫切需求。西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授張藝蒙分享了“SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究”主題報(bào)告。報(bào)告分享了關(guān)于結(jié)終端技術(shù)、高可靠碳化硅功率器件終端調(diào)制技術(shù)、低導(dǎo)通電阻技術(shù)、高功率密度提升技術(shù)與器件的可靠性研究。其中，結(jié)終端技術(shù)可以緩解主結(jié)邊緣的電場(chǎng)集中效應(yīng)，提高擊穿效率的同時(shí)，降低漏電和面積消耗、降低電荷敏感性。高可靠碳化硅功率器件終端調(diào)制技術(shù)可提出并實(shí)現(xiàn)了單次注入多臺(tái)階JTE終端，通過不同厚度Al掩模實(shí)現(xiàn)臺(tái)階注入，優(yōu)值注入窗口相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提升8倍，簡化工藝，顯著提升工藝可靠性，最終實(shí)現(xiàn)了11kV SiC PIN器件。為了修正JTE終端邊緣的“尖銳”電場(chǎng)，通過漸變摻雜尾區(qū)修正構(gòu)造出微型多區(qū)效應(yīng)，弱化邊界曲率，實(shí)現(xiàn)擊穿效率高達(dá)99%，并極大的提高了器件的高壓穩(wěn)定性。提出了“高頻刻蝕”的思路，結(jié)合多層掩模多步刻蝕技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了無微溝槽的臺(tái)面刻蝕形貌，最終獲得固化的高穩(wěn)定性干法刻蝕工藝，利用該工藝獲得滿足高壓穩(wěn)定性要求的臺(tái)面終端。經(jīng)仿真及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，溝槽FLRs終端可有效提升FLRs終端最小間距工藝容限，降低終端面積，可以在不提升工藝復(fù)雜度下提高器件可靠性。

蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜分享了“第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展”主題報(bào)告。SiC裝置具備提高轉(zhuǎn)換效率、減小能量損耗、增加功率容量、減小體積重量、提高可靠性等應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，對(duì)于提升效率降低裝置損耗，SiC對(duì)于提升效率降低裝置損耗，實(shí)現(xiàn)“碳中和、碳達(dá)峰”具有重要意義!碳化硅外延發(fā)展至今從理論、設(shè)備、工藝技術(shù)等方面已經(jīng)取得很大的進(jìn)展。理論方面：首先是臺(tái)階流模型的提出，其次是引入TCS生長體系，在理論基礎(chǔ)上，設(shè)備應(yīng)從硅烷體系發(fā)展到了氯基體系，外延設(shè)備也陸續(xù)實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代；再次就是未來4H-SiC外延生長將向多片式、大尺寸、高均勻性、低缺陷方向發(fā)展；最后，為了使器件的性能能夠進(jìn)一步提升，通過外延來實(shí)現(xiàn)部分器件結(jié)構(gòu)，主要是開發(fā)SiC外延溝槽填充技術(shù)，進(jìn)一步降低器件的導(dǎo)通電阻；在高壓應(yīng)用方面，厚膜生長技術(shù)比較滯后，未來需要解決的技術(shù)有：厚膜少子壽命，缺陷控制，材料的均勻性。鈕應(yīng)喜博士建議，當(dāng)前在SiC晶體段，應(yīng)優(yōu)化技術(shù)，降低成本，加快6英寸產(chǎn)能擴(kuò)充，突破8英寸技術(shù)攻關(guān)；在SiC外延領(lǐng)域，應(yīng)加快8英寸外延生長技術(shù)及設(shè)備的研制，針對(duì)高壓領(lǐng)域，突破厚膜外延產(chǎn)業(yè)化技術(shù)；在芯片端，應(yīng)加快高端車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的量產(chǎn)技術(shù)。

德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文分享了“促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)”主題報(bào)告。他表示，在全球數(shù)字化和汽車電氣化大趨勢(shì)背景下，寬禁帶半導(dǎo)體材料以其性能優(yōu)勢(shì)催生眾多市場(chǎng)應(yīng)用場(chǎng)景，在中短期內(nèi)被越來越多的消費(fèi)產(chǎn)品采用。為了在第三代半導(dǎo)體在消費(fèi)市場(chǎng)取得進(jìn)一步成功，實(shí)現(xiàn)器件的優(yōu)良性能，外延層的制備至關(guān)重要，不僅性能，而且成本和大批量生產(chǎn)能力都將成為關(guān)鍵性因素。方子文博士分析了寬禁帶半導(dǎo)體外延批量生產(chǎn)技術(shù)的最新進(jìn)展，包括用于SiC外延的AIX G5 WWC和用于GaN外延的AIX G5+ C批量生產(chǎn)解決方案。AIX G5 WW C MOCVD使用基于經(jīng)過量產(chǎn)客戶驗(yàn)證的AIXTRON行星式反應(yīng)器平臺(tái)，并導(dǎo)入全自動(dòng)化卡匣式（C2C）晶圓傳輸系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)單腔最大片數(shù)(8 x 6英寸)及最大產(chǎn)能。它同時(shí)提供了靈活的6英寸和4英寸配置，旨在將生產(chǎn)成本壓縮到最低，同時(shí)保持優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量。另外，2022年愛思強(qiáng)也將會(huì)在市場(chǎng)推出200mm（8英寸）設(shè)備。

廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理，廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家林挺宇分享了“先進(jìn)封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用”主題報(bào)告。他表示，根據(jù)Yole的最新預(yù)測(cè)，在未來五年間，全球先進(jìn)封裝的規(guī)模將會(huì)達(dá)到8.2%的年度復(fù)合增長率，而對(duì)應(yīng)的傳統(tǒng)封裝，則只有2.4%的增長速度。預(yù)計(jì)到2024年，先進(jìn)封裝的營收規(guī)模將能夠占據(jù)行業(yè)營收的50%左右，總體市場(chǎng)規(guī)模在2024年達(dá)到3052億元人民幣。佛智芯i-FOSATM 工藝特色的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，可概括為三“高”，兩“佳”，一“低”。即：高良率，低成本。良率高達(dá)99%，成本預(yù)期較晶圓級(jí)低30%以上；高可靠性，高國產(chǎn)化率。純銅柱結(jié)構(gòu)，不使用鐳射打孔，裝備材料國產(chǎn)化率超50%，減少設(shè)備依賴，總投入減少30%；兼容性佳，拓展性佳。工藝可全面兼容垂直芯片和單面IO芯片，可拓展成不同材料器件異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，多芯片封裝工藝的最佳解決方案。

中國科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心副研究員侯峰澤分享了“高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)”主題報(bào)告。不同的需求拉動(dòng)著電源和熱模塊的發(fā)展。嵌入式元件封裝技術(shù)可應(yīng)用于GaN、RF等WBG/ultra-WBG器件。隨著對(duì)更緊湊的電力電子系統(tǒng)的需求不斷增加，功率SiP技術(shù)將成為發(fā)展趨勢(shì)之一。嵌入式電源芯片提供了在基板的頂層放置柵極驅(qū)動(dòng)器和無源元件的可能性。 它們也可以與功率器件一起嵌入基板中。具有兩相流的單面 MHS 已被證明是高熱通量電子設(shè)備的有效冷卻解決方案。將從應(yīng)用的角度考慮封裝設(shè)計(jì)和冷卻成本之間的權(quán)衡分析。

在諸如結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管等功率器件應(yīng)用中，盡可能地降低由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗和關(guān)態(tài)損耗組成的總功耗至關(guān)重要。復(fù)旦大學(xué)張園覽分享了“基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的研究”主題報(bào)告，為進(jìn)一步改善器件的綜合性能，該研究了一種新的P區(qū)反序摻雜策略(RPS)在碳化硅結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的應(yīng)用，并提出了一個(gè)新的優(yōu)值(FOM, VF×IR×QC)來綜合評(píng)估4H-SiC JBS二極管表現(xiàn)，基于這種新穎的RPS策略，JBS二極管在室溫下實(shí)現(xiàn)了VF (1.58 V @20 A)、IR (0.4 霢 @1200 V)和QC (94.3 nC @1200 V,1 MHz)的高效率，定義的FOM指數(shù)僅為57.2。更重要的是，我們制備的碳化硅肖特基二極管即使在175 ℃的工作溫度下也能保持非常高的器件效率，而不會(huì)降低所有這些重要特性。報(bào)告提出的P區(qū)反序摻雜策略和FOM優(yōu)值為進(jìn)一步發(fā)展SiC功率器件提供了一種新型器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路和有效的評(píng)估方法。

 

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