近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應(yīng)用論壇“上，日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平做了題為”轉(zhuǎn)換效率超過91%的基于GaN肖特基勢(shì)壘二極管的微波整流器“的主題報(bào)告。從GaN-SBD 的設(shè)計(jì)和制造、905MHz微波整流器的開發(fā)等方面分享了研究成果。

 

具有U形準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵 SBD是專門為 905 MHz的低功率微波整流而設(shè)計(jì)和制造的。采用高摻雜外延層和圖案化肖特基陽(yáng)極，分別將GaN SBD電阻降低至0.75Ω，將結(jié)電容降低至0.9 pF。研究設(shè)計(jì)并測(cè)量了基于U型GaN SBD的工作頻率為905 MHz的微波整流器。由于出色的二極管性能和微波電路設(shè)計(jì)，在20 dBm的輸入功率下實(shí)現(xiàn)了超過91.5%的實(shí)測(cè)轉(zhuǎn)換效率。由于結(jié)電容較小，整流器的高效工作帶寬 (>50%) 也提高到14.5 dBm。

 

敖金平，日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)教授，2003年11月起加入德島大學(xué)并于2012年升任準(zhǔn)教授。2016年起任西安電子科技大學(xué)特聘教授，博士生導(dǎo)師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和國(guó)際會(huì)議上發(fā)表論文200余篇，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利。敖博士是國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)高級(jí)會(huì)員，美國(guó)電氣化學(xué)協(xié)會(huì)(ESC)會(huì)員，日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)員以及日本電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)會(huì)員。

 

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