時(shí)代電氣4月12日晚間公告，公司控股子公司中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體擬投資4.62億元進(jìn)行碳化硅芯片生產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目建設(shè)工期24個(gè)月。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿(mǎn)足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線(xiàn)提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線(xiàn)年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線(xiàn)25000片/年。