據(jù)媒體報道，聯(lián)電加速布局8英寸晶圓第三代半導體制造領(lǐng)域，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預計下半年將進駐8英寸AB廠。

 

在2021年年底，業(yè)界便有消息表明，聯(lián)電早已低調(diào)布局第三代半導體領(lǐng)域。其主要通過轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎光電切入，鎖定6英寸氮化鎵；并與比利時微電子研究中心（IMEC）合作，進行技術(shù)研發(fā)合作。

 

據(jù)悉，聯(lián)穎光電為聯(lián)電子公司，主要提供6英寸氮化鎵晶圓代工服務(wù)，生產(chǎn)CMOS 制程的二極管、MOSFET 以及濾波器等。多年前聯(lián)電將旗下6英寸廠轉(zhuǎn)給聯(lián)穎光電。在2021年下半年開始，聯(lián)穎光電業(yè)績持續(xù)上升。市場也傳出聯(lián)穎打算辦理現(xiàn)金增資、擴展產(chǎn)能的消息。

 

聯(lián)電首席財務(wù)官劉啟東對此回應(yīng)稱，集團在第三代半導體的發(fā)展上，仍以聯(lián)穎為主，聯(lián)電則進行研發(fā)，不過確實有在合作，但細節(jié)不便透露。聯(lián)電強調(diào)，在6英寸氮化鎵領(lǐng)域站穩(wěn)腳步之后，也將展開碳化硅（SiC）布局，并朝8英寸晶圓發(fā)展。聯(lián)穎第三代半導體制程將以CMOS制程做轉(zhuǎn)換，未來有機會將伺機尋求生產(chǎn)擴充的空間。