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日本東京大學(xué)開發(fā)出新一代半導(dǎo)體加工技術(shù) 封裝基板布線用孔降至6微米以下

日期:2022-11-16 閱讀:230
核心提示:東京大學(xué)的教授小林洋平等人攜手味之素Fine-Techno (川崎市)等,開發(fā)出了在半導(dǎo)體封裝基板上形成直徑6微米(微米為100萬分之1米)

東京大學(xué)的教授小林洋平等人攜手味之素Fine-Techno (川崎市)等,開發(fā)出了在半導(dǎo)體封裝基板上形成直徑6微米(微米為100萬分之1米)以下微細(xì)孔洞的激光加工技術(shù)。利用此次開發(fā)的技術(shù),可在Fine-Techno的絕緣薄膜上形成布線用的微細(xì)孔洞。利用此前的技術(shù),約40微米是極限。此次是與三菱電機(jī)、涉足激光振蕩器的Spectronix(大阪府吹田市)的聯(lián)合研究成果。(日經(jīng)中文網(wǎng))

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