近日，開年盛會(huì)，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、蘇州市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。論壇還得到了來自國內(nèi)以及美國、日本、德國、瑞典、英國、意大利、波蘭、澳大利亞、新加坡等國家和地區(qū)近70家組織機(jī)構(gòu)、近90家行業(yè)代表性實(shí)力企業(yè)的支持。

期間，重要的技術(shù)分會(huì)：“碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)“分論壇如期召開。該分論壇由寧波恒普真空科技股份有限公司、勵(lì)德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、德國愛思強(qiáng)股份有限公司、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院協(xié)辦支持。該論壇特邀請(qǐng)到論壇程序委員會(huì)聯(lián)合主席：山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長徐現(xiàn)剛教授和中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長唐景庭研究員共同主持。

主持人：山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長徐現(xiàn)剛教授

主持人：中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長唐景庭研究員

會(huì)上，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長、教授皮孝東，南砂晶圓副總經(jīng)理，山東大學(xué)教授陳秀芳，南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官宣融，德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文，勵(lì)德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員賈維煒，中國科學(xué)院物理研究所副研究員李輝，中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所首席專家王英民，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長、哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授趙麗麗，廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授尹君，北京工業(yè)大學(xué)副教授陳沛等精英專家們帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。

論壇現(xiàn)場(chǎng)，人氣爆棚

浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長、教授皮孝東分享了4H碳化硅單晶的制備和加工技術(shù)進(jìn)展，報(bào)告指出，4H-SiC適用于更高頻、更高功率電子器件，碳化硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT） 仍然處于研發(fā)階段。超快激光垂直改質(zhì)剝離技術(shù)，剝離過程中發(fā)生裂片成為超快激光切片面臨的關(guān)鍵難題。碳化硅很可能成為應(yīng)用規(guī)模僅次于硅的半導(dǎo)體材料，值得加強(qiáng)其基礎(chǔ)研究和技術(shù)開發(fā)。缺陷和雜質(zhì)研究對(duì)半導(dǎo)體碳化硅的發(fā)展至關(guān)重要。

伴隨著SiC材料直徑和質(zhì)量的突破，電力電子器件、光電子等相關(guān)器件應(yīng)運(yùn)而生，其市場(chǎng)規(guī)模逐年增長。南砂晶圓副總經(jīng)理，山東大學(xué)教授陳秀芳帶來了題為“大尺寸4H-SiC單晶擴(kuò)徑及襯底制備”的主題報(bào)告，分享了8英寸單晶材料進(jìn)展，報(bào)告指出，當(dāng)前8英寸4H-SiC晶體制備難點(diǎn)主要涉及高質(zhì)量8英寸4H-SiC籽晶制備；大尺寸溫度場(chǎng)不均勻和成核過程控制；大尺寸晶體生長體系下氣相物質(zhì)組分輸運(yùn)效率和演變規(guī)律；大尺寸熱應(yīng)力增大導(dǎo)致的晶體開裂和缺陷增殖。 

德國愛思強(qiáng)股份有限公司資深銷售經(jīng)理陳曦分享了碳化硅及其他化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)方案，報(bào)告指出GaN和SiC的市場(chǎng)增長是現(xiàn)實(shí)，正在改變著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。高吞吐量和低擁有成本滿足了所有傳統(tǒng)和新的生產(chǎn)增長要求。AIXTRON 的GaN 300mm平臺(tái)即將發(fā)布，以滿足早期300mm Epi需求，并且供應(yīng)鏈已做好充分準(zhǔn)備，以滿足未來幾年的市場(chǎng)需求。

南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官宣融在線分享了碳化硅外延與晶圓制造技術(shù)進(jìn)展報(bào)告。他總結(jié)時(shí)指出，碳化硅成長爆發(fā)期來臨,新能源車不受美國的限制,技術(shù)水平與國外相差不遠(yuǎn)。賽道產(chǎn)業(yè)鏈將從IDM模式加入代工/設(shè)計(jì)；碳化硅芯片整體售價(jià)應(yīng)在下降40~50%；結(jié)合外延+晶圓代工,提供客戶芯片良率/可靠度保證。國內(nèi)有效產(chǎn)能不足,設(shè)備/襯底/外延/代工皆有很大的商機(jī)。外延片濃度均一性影響芯片縮小化進(jìn)步；外延片底層缺陷影響MOS良率與可靠；在MOS產(chǎn)品上,將從平面逐漸發(fā)展溝槽式。

愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員賈維煒 全球科研信息賦能第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展，報(bào)告指出，科研數(shù)據(jù)助力企業(yè)研發(fā)，便于洞察行業(yè)科研動(dòng)態(tài)及熱點(diǎn)課題，關(guān)注“對(duì)標(biāo)”企業(yè)科研產(chǎn)出信息，快速準(zhǔn)確找到科研和生產(chǎn)中遇到問題的解決方案，追蹤領(lǐng)軍科研人物研發(fā)動(dòng)向，為企業(yè)專利發(fā)表提供科研數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。

碳化硅(SiC)具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，SiC器件具有耐高壓、耐高溫、高頻特性好、體積小和重量輕等優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用潛力。中國科學(xué)院物理研究所李輝副研究員帶來了題為“液相法碳化硅單晶生長研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，報(bào)告分享了物理所采用物理氣相傳輸(PVT)法生長8英寸碳化硅單晶的研究進(jìn)展，主要分享了物理所在液相法生長碳化硅單晶的研究進(jìn)展，通過液相法，物理所已經(jīng)生長出了4英寸高質(zhì)量的p型和n型碳化硅單晶，生長的碳化硅單晶具有高的質(zhì)量。

隨著我國“新基建”和“雙碳”戰(zhàn)略的深入實(shí)施，作為關(guān)鍵環(huán)節(jié)的電子系統(tǒng)對(duì)半導(dǎo)體元器件技術(shù)提出了高密度、高速度、大功率、低功耗、低成本的需求。中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，首席專家王英民分享了碳化硅單晶技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)，以及中國電科46所研究進(jìn)展。碳化硅襯底產(chǎn)品通過外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。碳化硅器件優(yōu)勢(shì)明顯，EV和光伏產(chǎn)業(yè)需求高速增長，碳化硅襯底成本的持續(xù)降低是下游終端市場(chǎng)提高滲透的關(guān)鍵。

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長、哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授趙麗麗做了題為“電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索”的主題報(bào)告，分享了開展大尺寸/低成本/高良率/產(chǎn)業(yè)化長晶設(shè)備及工藝研究成果，研制出適合 8 英寸碳化硅單晶生長的電阻長晶爐，碳化鉭（TaC）高溫蒸鍍工藝開發(fā)，低純度碳化硅（SiC）粉原料燒結(jié)提純工藝開發(fā)等。

廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授尹君分享了200 mm碳化硅晶體生長仿真，基于氣相導(dǎo)流板調(diào)控的傳質(zhì)過程優(yōu)化。SiC單晶尺寸增大，坩堝內(nèi)的溫場(chǎng)均勻性變差，特別是粉料內(nèi)部，不利于厚晶的生長。坩堝尺寸增大，腔內(nèi)對(duì)流加劇，不利于籽晶生長面均勻的氣相傳質(zhì)與生長。報(bào)告分享了大尺寸電阻PVT模型構(gòu)建與熱場(chǎng)仿真，大尺寸SiC單晶PVT生長傳質(zhì)過程優(yōu)化，單晶生長演化特性分析及質(zhì)量評(píng)價(jià)等。

北京工業(yè)大學(xué)副教授陳沛分享了超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究進(jìn)展與成果，研究采用飛秒激光系統(tǒng)對(duì)SiC表面進(jìn)行預(yù)處理以產(chǎn)生周期性微觀結(jié)構(gòu)（LIPPS），改性表面的力學(xué)財(cái)產(chǎn)顯著減弱，iC在表面沉積成Si、SiO2和C。在刮擦過程中，改性表面的材料去除深度提高，切削力也降低。與LSFL相比，HSFL可以產(chǎn)生更寬的切削槽和更好的表面粗糙度。報(bào)告指出，未來研究需要控制激光影響的深度，以滿足減薄目標(biāo)。滯后區(qū)域修改需要快速和統(tǒng)一。激光改性可以應(yīng)用于SiC的隱形切割。

現(xiàn)場(chǎng)花絮