期間，“平行論壇1：功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”上，江蘇芯港半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理程斌帶來(lái)“藍(lán)寶石基GaN材料及功率器件進(jìn)展”的主題報(bào)告，

 

GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領(lǐng)域的應(yīng)用前景而備受關(guān)注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，Gan基器件可以提供更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的擊穿電壓。由于昂貴的氮化物單晶襯底，商用GaN基器件通常生長(zhǎng)在藍(lán)寶石、SiC或Si襯底上。

 

芯港半導(dǎo)體專業(yè)從事藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件的企業(yè)，掌握大尺寸高質(zhì)量高耐壓的藍(lán)寶石基氮化鎵外延技術(shù)。報(bào)告中分享了藍(lán)寶石基GaN外延及芯片技術(shù)研究進(jìn)展。其中，報(bào)告指出功率器件應(yīng)用的藍(lán)寶石基氮化鎵外延技術(shù)，技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過(guò)理論計(jì)算并結(jié)合多年在藍(lán)寶石襯底上的生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)，研制出4/6 inch高質(zhì)量藍(lán)寶石基GaN HEMT外延技術(shù)。6 inch 藍(lán)寶石基GaN 非接觸式HALL測(cè)試方塊電阻均值314，STD 為0.92% 。藍(lán)寶石基氮化鎵增強(qiáng)型器件關(guān)鍵技術(shù)，優(yōu)異的材料質(zhì)量結(jié)合終端的電場(chǎng)管理技術(shù)，氮化鎵增強(qiáng)型器件擊穿電壓達(dá)到2300V，柵漏間最高平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)大于1.5MV/cm。

 

據(jù)介紹，芯港半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)專業(yè)從事藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件的企業(yè)，掌握大尺寸高質(zhì)量高耐壓的藍(lán)寶石基氮化鎵外延技術(shù)。其開發(fā)的藍(lán)寶石基GaN外延材料，XRD 搖擺曲線（002）/（102）半高寬分別達(dá)到60 /120 arcsec；3um 緩沖層的外延材料ISO 擊穿電壓超過(guò)3000V，為1200V-1700V量級(jí)器件打下基礎(chǔ)。產(chǎn)品方面主要包含耗盡型器件和增強(qiáng)型器件兩大類，耗盡型器件采用耐高壓的介質(zhì)柵，大幅降低柵界面態(tài)，實(shí)現(xiàn)良好的開關(guān)特性及可靠性；增強(qiáng)型器件采用PGaN帽層摻雜調(diào)控技術(shù)，柵擊穿電壓達(dá)到16V。公司所推出的650V增強(qiáng)型和耗盡型器件（導(dǎo)通電阻200mΩ，400 mΩ，800 mΩ，1600 mΩ）具有良好的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻，并順利通過(guò)客戶各項(xiàng)驗(yàn)證。

 

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)?；顒?dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

 

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/div>