項目負責人：時康

廈門大學化學化工學院教授。

研究方向

界面電化學，電化學納米加工， 光電化學。

成果-高效高質加工第三代半導體晶片的光電化學機械拋光技術

成果簡介

第三代半導體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩(wěn)定性好等優(yōu)點，已廣泛應用于電子和光電子等領域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是 5G 技術中的關鍵器件。將半導體晶片制成器件，其中的一個關鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學性質極其惰性，半導體工業(yè)目前常用的化學機械拋光方法無法對其實現(xiàn)高效加工。

技術成熟度

從原理上創(chuàng)新發(fā)展了一種光電化學機械拋光技術，不僅可快速加工各種化學惰性半導體晶片（如：加工氮化鎵的材料去除速率可達 1.2 μm/h，比目前的化學機械拋光的高約 10 倍），而且可加工出原子臺階結構的平滑表面。設備簡單，技術具有完全的自主知識產權。

應用范圍

第三代半導體晶片的光電化學機械拋光。

投產條件與預期經濟效益

已具備可產業(yè)化的技術。

合作方式

不限定合作方式。

聯(lián)絡電話

0592-2181139

成果展示

（來源：廈大科創(chuàng)夢工場）