成果領域：電子信息

成果名稱 ：增強型GaN電力電子器件

成果簡介： 為了獲得增強型GaN HEMT器件，目前采用的方法包括槽柵技術、氟離子注入、P-GaN技術等，這些技術都會用到刻蝕技術，從而對溝道中的2DEG產(chǎn)生較大影響，影響器件性能。為了避免這種弊端，本技術利用新穎的二次生長方式來構(gòu)造新型的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道，保證了溝道2DEG遷移率，從而獲得更優(yōu)的器件性能。新穎的二次生長技術借助介質(zhì)墻技術，工藝難度小。自由組合的零偏壓有2DEG部位和無2DEG部位，為器件的設計提供了很大的靈活性。

是一項實用性高的低成本技術。

持有人介紹：董志華，杭州電子科技大學電子信息學院高工，本科畢業(yè)于山東大學，博士畢業(yè)于北京大學，中科院蘇州納米所博士后，主要研究方向為寬禁帶半導體器件和電路，博士后在站期間實現(xiàn)了國內(nèi)首支增強型Si襯底AlGaN/GaN功率開關器件。獲得國內(nèi)發(fā)明專利11項，美國授權(quán)專利2項，發(fā)表SCI索引論文10余篇。

成果相關知識產(chǎn)權(quán)：

科研項目：國家自然科學基金青年基金項目61306100    GaN電力電子器件鈍化關鍵技術研究 

來源：杭電科研