7月11日，銀河微電（688689）公告稱，將投資3.1億元實施“高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地一期廠房建設項目”。此舉意在提升公司在集成電路分立器件領域的生產(chǎn)加工能力、擴大規(guī)模，以應對市場需求的增長。

圖片來源：銀河微電公告截圖

銀河微電是國內領先的半導體分立器件制造商，產(chǎn)品涵蓋小信號器件、功率器件、光電器件、電源管理IC及第三代半導體（SiC、GaN）器件，廣泛應用于汽車電子、消費電子等多個領域。近年來，下游需求強勁，我國半導體分立器件行業(yè)市場規(guī)模擴大，銀河微電營收也逐年上升，2022 - 2024年分別為6.76億元、6.95億元、9.09億元。

該項目選址江蘇常州新北區(qū)薛家鎮(zhèn)，建設周期30個月，資金來自自有或自籌資金，主要用于購地和廠房土建，為后續(xù)引入自動化設備、構建智能化生產(chǎn)線打基礎。公司表示，現(xiàn)有產(chǎn)能受場地、設備和人力限制，難以滿足市場需求，推進該項目可促進業(yè)務發(fā)展、提升盈利水平。

目前，硅材料平臺仍是主流，但SiC、GaN等新工藝平臺正走向成熟，在新能源汽車等場景應用占比提升。銀河微電緊跟趨勢，2024年優(yōu)化產(chǎn)品結構，提升MOS等產(chǎn)品銷售占比，推動產(chǎn)銷量增長。車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目客戶拓展有突破，還推進光電器件及IGBT器件擴產(chǎn)、加大設備投入。

公司加快高端產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，已初步具備SiC MOSFET及GaN HEMT芯片設計能力并小批量應用。“車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化”項目進入產(chǎn)能爬坡階段，產(chǎn)品獲多家車企供應鏈認證，聚焦新能源汽車相關領域，滿足國際車規(guī)標準，逐步替代海外廠商中高端市場份額。

銀河微電此次投建項目，不僅利于自身發(fā)展，也將推動國內半導體分立器件行業(yè)發(fā)展，提升我國半導體領域競爭力，后續(xù)項目進展值得持續(xù)關注。