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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

總投資1.2億湖州奕富半導(dǎo)體研磨裝備國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目簽約，

玻色量子、希姆半導(dǎo)體等簽約入駐電子城南京未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地

中國(guó)工程院院士彭壽：新型顯示材料始終占據(jù)顯示產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈高端

歐盟批準(zhǔn)意大利13億歐元補(bǔ)貼助力Silicon Box建設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體封裝廠

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會(huì)完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國(guó)首座大批量300毫米硅晶圓工廠

突發(fā)！拜登政府要對(duì)中國(guó)成熟芯片下手！

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

森國(guó)科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地設(shè)備進(jìn)場(chǎng)

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

中科飛測(cè)第1000臺(tái)集成電路質(zhì)量控制設(shè)備出機(jī)

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

中微公司宣布成功從美國(guó)國(guó)防部中國(guó)軍事企業(yè)清單中移除

博世獲16億元補(bǔ)貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場(chǎng)

總投資5億！湖南一半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目，開(kāi)工

日本政府為電裝-富士電機(jī)聯(lián)合的SiC功率半導(dǎo)體計(jì)劃投資705億日元

華索科技半導(dǎo)體研磨裝備項(xiàng)目簽約南潯

年產(chǎn)36萬(wàn)片，武漢一6寸碳化硅晶圓項(xiàng)目，首批設(shè)備搬入

投資20億！路芯半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)項(xiàng)目首批工藝設(shè)備機(jī)臺(tái)入廠

深圳大學(xué)材料學(xué)院劉新科研究員當(dāng)選為英國(guó)皇家化學(xué)學(xué)會(huì)會(huì)士

一汽吉林被曝停產(chǎn)數(shù)月 8月起未發(fā)放工資

國(guó)家四部門聯(lián)合印發(fā)！材料領(lǐng)域又一重要行動(dòng)方案發(fā)布

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