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華中科技大學(xué)又一篇Science

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

簡(jiǎn)述氮化鎵的合成制備及展望

2022年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

簡(jiǎn)述通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

長(zhǎng)春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

廈大課題組在有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

山東省新一代半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)等重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室批準(zhǔn)建設(shè)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

中國(guó)科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺(tái)達(dá)電子篇

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號(hào)探測(cè)

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

簡(jiǎn)述低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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