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中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

國際團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種“3D光量子存儲(chǔ)器”原創(chuàng)技術(shù)

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

上海光機(jī)所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

內(nèi)置深度學(xué)習(xí)算法|OPT（奧普特）智能讀碼器精準(zhǔn)識(shí)碼

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

簡述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

廈大研究團(tuán)隊(duì)利用藍(lán)紫光LED泵浦實(shí)現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

簡述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

簡述通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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