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西交大科研人員在hBN真空紫外探測器領(lǐng)域取得重要進展

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術(shù)領(lǐng)域取得重要進展

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

廈大物理寬禁帶半導(dǎo)體團隊在量子點電子態(tài)和自旋態(tài)操控領(lǐng)域取得重要進展

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

科研新進展 | 廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

南開團隊在缺陷調(diào)控構(gòu)筑新光電材料方面取得重要進展

寧波材料所在熱激子-深紅光OLED材料領(lǐng)域取得重要進展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

Chiplet成半導(dǎo)體性能提升重要路徑

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進展

上海微系統(tǒng)所等在自參考太赫茲雙光梳方面取得重要進展

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進展

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進展

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進展

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機發(fā)光二極管研究中取得重要進展

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進展

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進展

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院在二維半導(dǎo)體超薄介電層集成技術(shù)研究取得重要進展

廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組在半導(dǎo)體能谷調(diào)控方面取得重要進展

簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

福師大研究團隊在激光投影顯示材料研究方面取得重要進展

上海交大吳泳澎教授課題組在6G基礎(chǔ)研究領(lǐng)域取得重要進展

西安交通大學(xué)研究團隊超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進展

中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進展

上海交大電院周健軍教授課題組在模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片研究中取得重要進展

西安交大云峰教授團隊在超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進展

中國科學(xué)家在鍺錫材料分子束外延方面取得重要進展

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