亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<blockquote id="iqwig"></blockquote><strike id="iqwig"><blockquote id="iqwig"></blockquote></strike>

<bdo id="iqwig"></bdo>

<strike id="iqwig"><blockquote id="iqwig"></blockquote></strike>

<th id="iqwig"></th>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍光激光器

哈爾濱工業(yè)大學在碳化硅集成光量子糾纏器件領域取得新突破

中國科學院研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開發(fā)套件

王新強、王濤團隊在褶皺二維氮化鎵聲子研究中取得重要進展

西湖大學工學院仇旻團隊研究進展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應

中國科學技術大學，3天發(fā)3篇頂刊！

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術突破

杭州鎵仁半導體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

深圳平湖實驗室在氧化鎵理論研究方面取得重要進展

大連理工大學學生團隊攻克新型電力系統(tǒng)抗擾動能力弱難題

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破

廈門大學與三安光電關于大功率激光器壽命研究取得新進展

東南大學，Nature Electronics！

李梓維教授團隊MicroLED全彩色微顯示技術研究進展

中機新材——團聚金剛石技術，賦能晶圓減薄新高度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

睿創(chuàng)微納在微波功率放大器研究中取得重要進展

鎵仁半導體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

中國科大微電子學院在GaN HEMT開關瞬態(tài)建模方向取得新進展

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應用的激光巨量轉移技術

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應用的激光巨量轉移技術

中國科大在鈣鈦礦軟X射線探測器件領域取得重要進展

上海交大在n型有機半導體摻雜領域取得重要進展

電子科技大學團隊在SCIENCE CHINA Information Sciences上發(fā)表研究成果

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

中國科大在鈣鈦礦軟X射線探測器件領域取得重要進展

廈大程其進／張洪良團隊: 高精度日盲紫外光電探測器重要新進展

南大譚海仁教授課題組刷新全鈣鈦礦光伏電池光電轉化效率世界紀錄

至芯半導體取得重大突破，推出高光效UV器件

第4頁/共34頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<pre id="acasy"><blockquote id="acasy"></blockquote></pre>