亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<center id="cayyu"></center>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

年產(chǎn)100萬只高速光通信器件和模塊項目正式啟動廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺正式投用

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

武漢敏聲高端射頻濾波器生產(chǎn)線項目封頂

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項目投產(chǎn)

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項目首批設(shè)備正式進(jìn)場

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

CSA半導(dǎo)體激光器專業(yè)委員會正式成立，并成功召開第一屆一次會議

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進(jìn)入公眾投票階段

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

第3頁/共55頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<samp id="soka2"><bdo id="soka2"></bdo></samp>

<center id="soka2"></center>

<menu id="soka2"><ul id="soka2"></ul></menu>

<samp id="soka2"><bdo id="soka2"></bdo></samp>

<kbd id="soka2"></kbd>

<samp id="soka2"><tfoot id="soka2"></tfoot></samp>