亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<strike id="c4yaa"><table id="c4yaa"></table></strike>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院外延平臺(tái)高純液氨采購(gòu)項(xiàng)目(二次)招標(biāo)公告

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開(kāi)工

國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備獲升級(jí)

西安奕斯偉材料申請(qǐng)用于外延設(shè)備的處理方法專利

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)第二次公示

天域半導(dǎo)體碳化硅外延項(xiàng)目即將試產(chǎn)

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

8英寸碳化硅垂直腔外延設(shè)備為什么這么熱？

寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購(gòu)公開(kāi)招標(biāo)公告二次

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購(gòu)公開(kāi)招標(biāo)公告

科大立安中標(biāo)安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項(xiàng)目

CASICON晶體大會(huì)前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

安徽晶隆年產(chǎn)630萬(wàn)片含SiC外延材料項(xiàng)目封頂

安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項(xiàng)目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）全面封頂，8月將實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮投產(chǎn)

總投資55億，晶隆半導(dǎo)體外延材料產(chǎn)業(yè)園EPC項(xiàng)目封頂

晶盛機(jī)電：在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，先后成功研發(fā)8英寸及12英寸常壓硅外延生長(zhǎng)設(shè)備并實(shí)現(xiàn)銷售

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

第2頁(yè)/共8頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<cite id="8caa6"><option id="8caa6"></option></cite>