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連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

國(guó)家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

時(shí)代電氣IGBT制氫電源設(shè)備累計(jì)交付突破100臺(tái)

廈門大學(xué)-廈門市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦窄帶光電探測(cè)器研究中取得重要突破

中微創(chuàng)芯突破 “卡脖子” 技術(shù)！國(guó)產(chǎn)化逆導(dǎo) IGBT 功率模塊通過(guò)科技查新，打破國(guó)外壟斷！

中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域再次實(shí)現(xiàn)重大突破

三項(xiàng)首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問(wèn)世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見(jiàn)證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

中科院DUV光源新突破！

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

上交所：大力支持突破關(guān)鍵核心技術(shù)的優(yōu)質(zhì)科技型企業(yè)發(fā)行上市

實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破！我國(guó)成功研制出這一光子芯片

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測(cè)

扭虧為盈！天岳先進(jìn)2024業(yè)績(jī)大突破

北京大學(xué)王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破

雷軍：今年小米將保持超30%增速電動(dòng)車的突破是亮點(diǎn)

重大突破！吉林大學(xué)領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級(jí)鉆石“六方金剛石”

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長(zhǎng)突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

突破！國(guó)產(chǎn)SiC外延設(shè)備首次大規(guī)模發(fā)貨！

金剛石基晶體管，里程碑突破！

美國(guó) SIA：全球半導(dǎo)體銷售額 2024 年首度突破 6000 億美元大關(guān)

中國(guó)光子毫米波雷達(dá)技術(shù)取得突破性進(jìn)展

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

北方華創(chuàng)立式爐出貨突破1000臺(tái)

中微公司去年?duì)I收大漲44.73%！LPCVD設(shè)備累計(jì)出貨突破100臺(tái)！

清純半導(dǎo)體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

日本國(guó)立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)金剛石DUV探測(cè)器低電壓高增益新突破！

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