作為中關(guān)村論壇非常重要的一個(gè)平行論壇，2023年5月28日下午，北京（國(guó)際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇（以下簡(jiǎn)稱“論壇”）在中關(guān)村國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū)展示中心舉行。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲做《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》主題綜述報(bào)告。

安世半導(dǎo)體副總裁 Carlos Castro介紹了氮化鎵功率電子器件和典型應(yīng)用。

博世汽車電子事業(yè)部中國(guó)區(qū)總裁Georges ANDARY分享了汽車功率半導(dǎo)體在減少碳排放方面的貢獻(xiàn)，報(bào)告中討論了全球和中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的最新主要發(fā)展，并介紹碳化硅的主要產(chǎn)品特性、優(yōu)勢(shì)，以及碳化硅應(yīng)用對(duì)減少碳排放的貢獻(xiàn)。

美國(guó)國(guó)家工程院院士、加州大學(xué)教授Umesh Mishra分享了高效率氮化物功率半導(dǎo)體和射頻電子研究進(jìn)展。半導(dǎo)體技術(shù)必須實(shí)現(xiàn)基于應(yīng)用的高性能，技術(shù)必須非常可靠，同時(shí)要不斷的降低成本，低成本需要高的市場(chǎng)滲透率，氮化鎵擁有激光、LED、雷達(dá)、毫米波通信等廣泛的應(yīng)用基礎(chǔ)，具有巨大的市場(chǎng)潛力。

IEEE國(guó)際寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授、國(guó)際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)會(huì)士(IEEE Fellow)Victor Veliadis分享了碳化硅功率半導(dǎo)體器件技術(shù)的最新研究進(jìn)展。

中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所所長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院外籍院士、歐洲科學(xué)院院士王中林分享了第三代半導(dǎo)體的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的狀況與研究進(jìn)展。