高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。