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南京大學(xué)汪正鵬：NiO/
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南京大學(xué)汪正鵬：NiO/
NiO/-Ga2O3p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級(jí)缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:20
大連理工大學(xué)張赫之：
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大連理工大學(xué)張赫之：
兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
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guansheng2022-09-01 16:19
山東大學(xué)賈志泰：大尺
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山東大學(xué)賈志泰：大尺
大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:18
湖北大學(xué)何云斌：Ga2O
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湖北大學(xué)何云斌：Ga2O
Ga2O3三元合金設(shè)計(jì)及其日盲紫外光電探測器研究王其樂，瞿秋琳，陳劍，黎明鍇，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:16
中山大學(xué)王鋼：基于金
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中山大學(xué)王鋼：基于金
基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:13
中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研
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中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研
一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運(yùn)成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)湖北科技學(xué)院
54300
guansheng2022-09-01 16:11
南京大學(xué)鞏賀賀：氧化
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南京大學(xué)鞏賀賀：氧化
氧化鎵肖特基二極管熱管理研究鞏賀賀，周峰，葉建東*，陸海，顧書林，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
75800
guansheng2022-09-01 16:10
廈門大學(xué)龍浩：氧空位
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廈門大學(xué)龍浩：氧空位
氧空位在異質(zhì)外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測器中的影響許銳，馬曉翠，梅洋，應(yīng)磊瑩，張保平*，龍浩*廈門大學(xué)
54400
guansheng2022-09-01 16:08
浙江大學(xué)楊樹：基于界
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浙江大學(xué)楊樹：基于界
基于界面調(diào)控的垂直型GaN功率二極管研究楊樹浙江大學(xué)
67200
guansheng2022-09-01 14:37
北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
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北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
基于結(jié)終端擴(kuò)展的kV級(jí)硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進(jìn)，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 13:46
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運(yùn)，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
68900
guansheng2022-09-01 13:45
中科院微電子所黃森：
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中科院微電子所黃森：
全GaN功率器件與集成研究黃森*，蔣其夢，王鑫華，魏珂，劉新宇中國科學(xué)院微電子研究所
56600
guansheng2022-09-01 13:43
中科院蘇州納米所孫錢
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中科院蘇州納米所孫錢
硅基GaN電子器件研究進(jìn)展孫錢中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 13:42
南京大學(xué)周峰：從應(yīng)
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南京大學(xué)周峰：從應(yīng)
從應(yīng)用端看GaN功率電子器件面臨的關(guān)鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學(xué)
58600
guansheng2022-09-01 13:29
中科院蘇州納米所郭小
6800
中科院蘇州納米所郭小
1200V級(jí)硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
68000
guansheng2022-09-01 12:50
中國科學(xué)院微電子所金
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中國科學(xué)院微電子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增強(qiáng)型p-FET器件研究金昊，蔣其夢*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國科學(xué)院微電子研究所
57200
guansheng2022-09-01 12:49
南京大學(xué)陳鵬：GaN基
5440
南京大學(xué)陳鵬：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
54400
guansheng2022-09-01 12:38
中科院寧波材料所郭煒
8550
中科院寧波材料所郭煒
基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
85500
guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京納米所胡衛(wèi)
6440
中科院北京納米所胡衛(wèi)
壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國*中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
64400
guansheng2022-09-01 12:22
西安電子科技大學(xué)張進(jìn)
6460
西安電子科技大學(xué)張進(jìn)
勢壘可調(diào)、位錯(cuò)免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進(jìn)成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學(xué)
64600
guansheng2022-09-01 12:20

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