亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

廣東省仲愷農(nóng)業(yè)工程學院機電工程學院李蕊分享了《不同比例紅藍光質(zhì)對金線蓮形態(tài)及光合特性的影響》研究報告。介紹了不同光質(zhì)對金線蓮生長及光合作用的影響。在溫度、濕度、CO2濃度和光合光量子通量密度都一致的條件下，以白光（LED）為對照，分析了9種紅藍不同配比的LED組合光源對金線蓮定植苗生長的形態(tài)指標、葉綠素以及光合速率、氣孔導度及蒸騰速率的影響。 　　結(jié)果表明：藍紅1:1處理比其他光質(zhì)處理更有利于金線蓮鮮重的積累，

中國科學院半導體研究所高級工程師宋昌斌分享了《水產(chǎn)養(yǎng)殖業(yè)LED光源選擇的建議》主題報告。他詳細闡述了LED光源對循環(huán)水養(yǎng)殖系統(tǒng)的重要性，介紹了養(yǎng)殖車間光照的現(xiàn)狀，并根據(jù)魚類對光環(huán)境三要素一般的適應需求規(guī)律、針對燈具在特定使用環(huán)境下的要求進行了分析與建議，對水產(chǎn)養(yǎng)殖車間如何正確選擇LED燈具具有指導意義。 　　據(jù)了解，我國海淡水產(chǎn)養(yǎng)殖主要是池塘、網(wǎng)箱、湖面養(yǎng)殖等方式，這些室外天然養(yǎng)殖依靠陽光。中國政府明確，到

光照不僅影響植物的光合作用，而且能夠調(diào)控植物的生理及生化過程。小白菜富含硫苷類物質(zhì)，其在抗癌類功能性食品中具有重要作用。因此，篩選適宜的光配方能夠提高小白菜中硫苷類物質(zhì)的含量。中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所王芳受邀分享了《利用人工光質(zhì)調(diào)控小白菜硫苷生物合成的機制研究》報告。 　　報告中指出，以綠葉小白菜和紅葉小白菜為試驗材料，用于篩選能夠顯著誘導硫苷類物質(zhì)合成的適宜補光光強和波長?；诤Y選得到的補光

浙江大學教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長泮進明介紹了《LED綠光調(diào)控種蛋孵化胚胎代謝和出雛的機理研究》報告。首先探索LED綠光與種蛋孵化胚胎發(fā)育和代謝的劑量-效應關系，接著基于優(yōu)選綠光劑量考察種蛋胚胎在綠光孵化期間的蛋殼特性變化和出雛階段的營養(yǎng)物質(zhì)變化，從出雛供能和蛋殼特征的角度探討綠光促進胚胎出雛、減少胚胎死亡的生理學機制，為光照孵化的產(chǎn)業(yè)化提供應用理論指導，同時探索優(yōu)化種蛋孵化出雛窗口的方法，在

由于體積小，功率密度高等優(yōu)點，LED適合用作自適應遠光(ADB)車燈的光源。半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室(常州基地)研發(fā)工程師陳威介紹了汽車前照燈用LED陣列模組的光、熱設計，提出了一種基于矩形透鏡陣列的矩陣車燈模組，以平衡夜間行車中改善駕駛員視覺效果與減少其他道路參與者眩目之間的矛盾?；贕B 25991，使用蒙特卡洛仿真的方法，對模組進行光學方面的優(yōu)化設計，包括LED光源的布置、光學系統(tǒng)的設計；其次，分別在自然對

中國農(nóng)業(yè)科學院城市農(nóng)業(yè)研究所副所長楊其長研究員分享了《LED植物工廠光效提升技術進展》報告。在植物工廠光配方構(gòu)建、光效與能效提升、營養(yǎng)品質(zhì)調(diào)控以及多因子協(xié)同管控等關鍵技術方面取得了多項創(chuàng)新性成果。研發(fā)出基于植物光配方的多光質(zhì)組合LED節(jié)能光源及其智能調(diào)控技術，創(chuàng)制出光-溫耦合節(jié)能環(huán)境控制技術，發(fā)明了采前短期連續(xù)光照調(diào)控蔬菜品質(zhì)技術方法，研發(fā)出基于多因子協(xié)同管控策略的植物工廠智能化管控技術，集成創(chuàng)制出規(guī)模

韓國國立首爾大學的Jung Eek SON教授分享了《作物生產(chǎn)系統(tǒng)中采用3D模型和光學模擬進行針對遮雨棚光投射、光合作用、光照利用率的評估》研究報告。他介紹說，在植物生產(chǎn)系統(tǒng)中，為了提高生產(chǎn)力和降低成本，必須提高光的利用效率，為此需要在不同的光照條件下估算冠層的光截獲量。該研究以LED為光源，評估了不同生長條件下生菜的光截獲、光合速率及光利用效率。采用三維掃描植物模型和射線追蹤模擬方法，對萵苣的光截獲率進行了估算

隨著固體照明技術的發(fā)展，可見光通信（VLC）近年來受到了廣泛的關注。中國科學院半導體研究所馬占紅做了題為適用于可見光通信高帶寬微發(fā)光二極管的可靠性分析的報告，分享了制備帶寬高達1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應力下的可靠性。與傳統(tǒng)的射頻無線通信相比，VLC具有保密性高，無電磁干擾和無頻譜限制等優(yōu)點。它也被認為是未來無線通信的潛在接入選擇。近年來，微發(fā)光二極管（Micro-LED）已經(jīng)可

北京工業(yè)大學教授郭偉玲帶來了高壓LED及其可靠性研究的報告，介紹了當前高壓LED及其可靠性的最新研究成果。

紫外LED因其在醫(yī)療、印刷、環(huán)境凈化等領域的廣闊應用前景，近年來市場份額日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散熱問題已經(jīng)成為制約紫外LED發(fā)展應用的主要瓶頸之一。復旦大學副研究員劉盼分享了燒結(jié)銀芯片連接工藝與石墨烯覆銅基板對紫外LED封裝的熱模擬分析。劉盼2011年開發(fā)了可調(diào)制光捕捉表面，顯著提升了薄膜硅基太陽能電池效率。2012年至2016年，與荷蘭飛利浦照明緊密合作，共同研發(fā)了一款微縮體積照明封裝系統(tǒng)，

大連海洋大學海洋科技與環(huán)境學院院長劉鷹教授分享了《LED對水生生物生長發(fā)育的影響研究與展望》主題報告。在企業(yè)生產(chǎn)應用，魚類性成熟率從47%降低到20%以下；揭示LED光譜影響嶺南黃肉雞生理-行為-生長的通路，根據(jù)LED光譜的影響規(guī)律調(diào)制特種光譜，優(yōu)化光周期與光照強度，形成成套調(diào)控策略。研究發(fā)現(xiàn)，在不同 LED 光譜（全光譜、紅光、橙光、綠光、藍光）條件下，通過分析和比較實驗組間大菱鲆早期發(fā)育時序、孵化率、苗種生長率和成

北京大學劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。

西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

多熱阻陣列LED模塊的結(jié)溫監(jiān)視 Junction Temperature Monitoring of the Multi-LED Module in Service with the Thermal Resistance Matrix李世瑋 香港科技大學先進微系統(tǒng)封裝中心主任、香港科技大學深圳研究院常務副院長 Shi-Wei.Ricky LEEProfessor and Director of Center for Advanced Microsystems Packaging (CAMP) of Hong Kong University of Science and Technology.

廈門大學教授陳朝分享了紫光激發(fā)高效三基色稀土熒光粉暖白光LED的研究及其應用。陳朝教授主要開展半導體光電材料、光電器件（光伏、LED和光通信）及其領域的研究，主持過國家和福建省等多項科研任務。 其團隊自主研發(fā)了紫光（390nm-400nm）激發(fā)，紅、藍、綠（RGB）高效三基色摻雜稀土熒光粉。將其涂覆在紫光LED芯片上，可發(fā)出暖的白光（發(fā)光效率：大于130 lm/W，色溫3000-4000k，顯色指數(shù)大于90，色坐標：0.33,0.33），其發(fā)光光譜

西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內(nèi)容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長模型等研究內(nèi)容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

瑞士Microdiamant研發(fā)部門負責人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術的主題報告，報告表示，碳化硅業(yè)務的主要目標是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)劣以及關鍵的流程步驟等內(nèi)容。

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的