一、研究所簡(jiǎn)介

1956年，在新中國(guó)首個(gè)中長(zhǎng)期科學(xué)技術(shù)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件——《1956-1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被確立為國(guó)家新技術(shù)發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)研究的基石、構(gòu)建系統(tǒng)化的研發(fā)體系，我國(guó)于1960年9月在北京成立中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，開(kāi)啟了中國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。

建所65年來(lái)，半導(dǎo)體研究所在我國(guó)半導(dǎo)體科技發(fā)展的各個(gè)歷史階段均做出了重大貢獻(xiàn)，取得了令人矚目的成就：中國(guó)第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺(tái)硅單晶爐、區(qū)熔爐等，均誕生于半導(dǎo)體研究所。研究所共獲得國(guó)家級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)近40項(xiàng)，黃昆院士榮獲2001年度國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。

半導(dǎo)體研究所作為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應(yīng)用為一體的國(guó)家級(jí)綜合性研究機(jī)構(gòu)，擁有兩個(gè)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室——光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；兩個(gè)國(guó)家級(jí)研究中心—國(guó)家光電子工藝中心、光電子器件國(guó)家工程研究中心；一個(gè)院級(jí)實(shí)驗(yàn)室——中國(guó)科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；還設(shè)有納米光電子實(shí)驗(yàn)室、人工智能與高速電路實(shí)驗(yàn)室、光電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室、全固態(tài)光源實(shí)驗(yàn)室、寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測(cè)中心?，F(xiàn)有職工700余人，其中包括中國(guó)科學(xué)院院士8名，中國(guó)工程院院士1名，高層次引進(jìn)人才計(jì)劃入選者53人，國(guó)家級(jí)領(lǐng)軍人才計(jì)劃入選者27 人，國(guó)家級(jí)青年人才計(jì)劃入選者17人。研究所設(shè)有3個(gè)博士后流動(dòng)站，擁有8個(gè)學(xué)術(shù)型學(xué)科專業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點(diǎn)，以及2個(gè)專業(yè)學(xué)位領(lǐng)域培養(yǎng)點(diǎn)。作為中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學(xué)與工程”學(xué)科入選國(guó)家一流學(xué)科。

二、研究所科研條件支撐平臺(tái)

研究所構(gòu)建了覆蓋半導(dǎo)體研發(fā)制造全鏈條的國(guó)際一流設(shè)施和技術(shù)體系，涵蓋材料仿真、分子束外延生長(zhǎng)、納米光刻、等離子刻蝕、先進(jìn)封裝及晶圓級(jí)測(cè)試等全流程能力，包括：從原子級(jí)到系統(tǒng)級(jí)半導(dǎo)體材料與器件仿真，從分子束外延到納米級(jí)電子束光刻系統(tǒng)，從等離子體刻蝕系統(tǒng)到晶圓級(jí)先進(jìn)封裝，以及完備的材料表征實(shí)驗(yàn)室和晶圓級(jí)測(cè)試平臺(tái)。研究所現(xiàn)有百級(jí)/千級(jí)超凈實(shí)驗(yàn)室總面積逾6000平方米，大型半導(dǎo)體設(shè)備種類齊全，可制備III-V族化合物、寬禁帶以及硅基等多種先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件，工作波長(zhǎng)覆蓋紫外、可見(jiàn)光、紅外、太赫茲至微波波段，形成了“機(jī)理-設(shè)計(jì)-制造-封裝-測(cè)試”五位一體的完整研發(fā)閉環(huán)，可為微電子和光電子系統(tǒng)提供從原型開(kāi)發(fā)到小批量試制的全周期支撐。

三、招聘領(lǐng)域

半導(dǎo)體所擬在半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域（包括但不限于凝聚態(tài)物理、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理、半導(dǎo)體材料與器件、半導(dǎo)體光電子學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、物理電子學(xué)、集成電路科學(xué)與工程、光學(xué)工程、電路與系統(tǒng)、電子信息、材料與化工等學(xué)科方向）招聘海內(nèi)外青年人才。

四、招聘崗位

詳見(jiàn)《中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘計(jì)劃》（附件1）。

五、應(yīng)聘條件

1.獲得博士學(xué)位，且獲學(xué)位時(shí)間一般不超過(guò)3年；

2.身心健康，年齡在35周歲以下（含35歲）；

3.進(jìn)站后保證全脫產(chǎn)從事博士后研究工作；

4.恪守科研道德和學(xué)術(shù)規(guī)范，學(xué)風(fēng)正派，愛(ài)崗敬業(yè)，誠(chéng)實(shí)守信；

5.具有較大發(fā)展?jié)摿?，較好的創(chuàng)新研究成果，良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神；

6.符合全國(guó)博管會(huì)及研究所招收博士后的相關(guān)要求。

六、福利待遇

1.半導(dǎo)體所提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇，享受完備的社保和福利待遇；

2.支持申請(qǐng)國(guó)家資助博士后研究人員計(jì)劃（A/B/C檔）、博士后國(guó)（境）外交流項(xiàng)目、中國(guó)科學(xué)院特別研究助理資助項(xiàng)目、中國(guó)博士后科學(xué)基金、國(guó)家自然科學(xué)基金等基金項(xiàng)目；

3.成果優(yōu)秀的博士后出站后可優(yōu)先競(jìng)聘半導(dǎo)體所的相關(guān)工作崗位；

4.享受全國(guó)博管會(huì)關(guān)于出站博士后戶口遷移及家屬戶口隨遷等政策。

七、應(yīng)聘材料

1.《中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）申請(qǐng)表》（附件2）；

2.證明個(gè)人能力的材料，如：博士學(xué)位論文、論文著作首頁(yè)、專利證書(shū)、獲獎(jiǎng)證書(shū)復(fù)印件等；

3.畢業(yè)證書(shū)、學(xué)位證書(shū)掃描件(未獲得學(xué)位可暫用培養(yǎng)單位證明代替)。

八、應(yīng)聘程序

應(yīng)聘者以電子郵件附件的形式將應(yīng)聘材料發(fā)送至各崗位聯(lián)系人郵箱，郵件標(biāo)題請(qǐng)注明“博士后競(jìng)聘+姓名+專業(yè)+畢業(yè)學(xué)校”。研究所各相關(guān)部門(mén)將對(duì)應(yīng)聘人員進(jìn)行資格審查，并電話或郵件通知初審合格者后續(xù)招聘事宜，資格審查未通過(guò)者，不再另行告知。

應(yīng)聘過(guò)程中如有政策問(wèn)題請(qǐng)聯(lián)系半導(dǎo)體所人事教育處：

聯(lián)系人：陳老師

電話：010-82305345

地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)

官方網(wǎng)站：http://www.semi.cas.cn

   附件1.中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘計(jì)劃.xlsx

   附件2.中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）申請(qǐng)表.docx