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數千億美元砸向晶圓制造!全球半導體巨頭爭相擴產

日期:2021-04-02 來源:第一財經閱讀:229
核心提示:短短10天,數家全球頭部半導體企業(yè)接連宣布了多項擴產計劃?!叭绻环e極擴產,至2025年國內產能缺口將拉大到至少相當于8個中芯國際的產能。”
短短10天,數家全球頭部半導體企業(yè)接連宣布了多項擴產計劃。從英特爾200億美元籌建新晶圓工廠到臺積電三年內投資1000億美元強化半導體制造,再到韓國第二大芯片廠SK海力士千億美元擴產計劃獲批,為了緩解芯片產能危機以及鞏固新一輪競爭周期中的身位,一場沒有硝煙的戰(zhàn)爭已經打響。
 
隨著消費市場逐步復蘇,關鍵芯片的代工需求熱度持續(xù)發(fā)酵,上游晶圓代工企業(yè)的產能持續(xù)爆滿。調研機構集邦咨詢的最新數據顯示,2021年第一季度全球晶圓代工市場產能持續(xù)處于供不應求狀態(tài),預計前十大晶圓代工業(yè)者總營收增幅達20%。
 
 
第一財經了解到,從目前的晶圓制造產能來看,全球約四分之三的芯片生產集中在東亞地區(qū),尤以臺積電和三星為核心。但從美國半導體公司最新的投產計劃來看,強化半導體制造環(huán)節(jié)已經成為未來趨勢。
 
擴產!擴產!
 
“各項半導體終端需求仍然強勁,加上車用半導體需求吃緊,導致晶圓代工各制程產能多半難求的市況下,交付周期延長。”集邦咨詢分析師喬安對記者表示,擴產成為解決產能問題的最直接方法。
 
可以看到,從3月下旬開始,從百億美元到千億美元,涌入晶圓制造的資金數量也在不斷增加。
 
以美國企業(yè)為例,3月24日凌晨,英特爾CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)宣布了多項擴產計劃,一方面擬在美國亞利桑那州投資約200億美元新建兩座晶圓廠,另一方面英特爾希望成為晶圓代工的主要提供商,以美國和歐洲為起點面向全球客戶提供服務。
 
基辛格表示,除了上述工廠外,英特爾還計劃年內宣布在美國、歐洲以及世界其他地方的下一階段產能擴張計劃。
 
在分析機構看來,這是美國芯片企業(yè)在高端晶圓制造環(huán)節(jié)上加大投入的重要信號。
 
2月,美國總統(tǒng)拜登簽署了一項行政命令,對半導體、電動汽車大容量電池、稀土礦產和藥品的供應鏈進行為期100天的審查。同時尋求立法撥款370億美元,以加強美國芯片制造業(yè)的發(fā)展。
 
早在去年6月,美國參議院就提出兩項新法案,分別為《為半導體生產創(chuàng)造有效激勵措施法案》(CHIPS for America Act)和《美國晶圓代工業(yè)法案》(American Foundries Act),以促進美國半導體產業(yè)的現(xiàn)代化進程。
 
目前,英特爾位于亞利桑那州錢德勒市的Ocotillo園區(qū)是其在美國最大的制造工廠,加上新投建的兩個工廠,該區(qū)域將成為全球巨型工廠的代表。除了英特爾外,在去年6月,另一家美國晶圓代工大廠格芯也宣布獲得美國紐約州附近66英畝(約26.7公頃)的土地,對其Fab8晶圓廠進行擴建。
 
在最新的投資計劃中,格芯表示,還將投資14億美元以提升其在美國、新加坡和德國的三家晶圓代工廠產能。格芯CEO托馬斯·柯斐德(Thomas Caulfield)表示,該筆資金將在2022年前投入使用,以增加生產12~90nm的芯片產能。
 
“格芯肯定會建設新的晶圓廠,其關鍵點在于相關法案的資金補貼何時到位。”柯斐德表示,14億美元將平均分配給格芯在德國德累斯頓、美國紐約州馬耳他鎮(zhèn)和新加坡的晶圓廠,大約1/3資金來自于幾家長期客戶簽署的合同預付款,如果芯片需求繼續(xù)上升,格芯還將在馬耳他鎮(zhèn)附近建造新的晶圓廠。
 
按照營收排名,格芯為全球第三大晶圓代工廠,僅次于臺積電和三星電子。而在晶圓擴產的追逐賽上,臺積電和三星顯得更為激進。
 
4月1日,有消息稱,臺積電總裁魏哲家在最新發(fā)布的內部信中寫道,“將在未來三年投資1000億美元來增加產能,并且支持高端制程技術的研發(fā)。”
 
魏哲家表示,盡管臺積電努力增加產能,在過去12個月當中讓產能利用率超過100%運行,但是仍舊無法完全滿足所有客戶的需求。因此,臺積電決定采取一些行動。目前已經開始招募大量新員工、購買土地和設備,以及在全球不同區(qū)域開始建造新的廠房。對于臺積電在美新建工廠計劃,有員工今年初告訴第一財經,公司已經開始招兵買馬,如果時機合適,下半年就會有員工過去。
 
三星則早在去年就開啟了產能擴張計劃。據悉,三星晶圓代工業(yè)務部針對旗下的8英寸晶圓廠進行了自動化擴建投資以提高生產效率。三星估計,如果要在所有8英寸晶圓廠中導入自動化運輸設備,可能需要萬億韓元投入。
 
此外,值得注意的是,韓國政府目前已批準韓國第二大芯片廠SK海力士的120兆韓元(約合1060億美元)投資計劃。該園區(qū)預計將于今年第四季度破土動工,第一座制造廠將于2025年竣工,建設完成后,該園區(qū)的每月產能將達到80萬片。
 
中國企業(yè)加快產能布局
 
在業(yè)內看來,全球頭部晶圓代工廠商的擴產可以緩解一定的產能壓力,但長期來看,高端芯片的制造產能依然緊缺。
 
紫光集團聯(lián)席總裁陳南翔在一場會議上表示,到2030年,全球集成電路產業(yè)規(guī)模有望達到1萬億美元,以2020年為基數,2030年產能需達到2~2.6倍才能滿足需求的發(fā)展,2026年產能則需翻倍。
 
“部分特色工藝不僅需要擴充產能,還需打造合理、有競爭力的成本結構,短期難以實現(xiàn)。”陳南翔說。
 
中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍也在最新發(fā)布的財報中表示,目前行業(yè)對成熟制程的需求依然強勁,“預計公司成熟產能將持續(xù)滿載。為了滿足客戶需求,公司預計今年資本開支為43億美元,其中大部分用于成熟工藝的擴產,小部分用于先進工藝、北京新合資項目土建及其他。”
 
不過,中芯國際依然面臨美國“實體清單”管制不確定因素的影響,設備采購交期較以往有所延長,亦有可能產能建設進度不如預期。中芯國際董事長周子學表示,2021年的重點工作是,在持續(xù)堅持依法合規(guī)經營的前提下,繼續(xù)與供應商、客戶及相關政府部門緊密合作、積極溝通,推進出口許可申請工作,盡最大努力保障運營連續(xù)性;同時,爭取盡快擴充產能,滿足客戶需求。
 
國泰君安國際稱,此前,中芯國際與ASML公司簽訂了12億美元的訂單。盡管并不是高端的EUV光刻機,但DUV光刻機至少能夠滿足目前成熟制程芯片的需求,擴大中芯的產能。此外,中芯宣布與深圳市政府簽署合作框架協(xié)議,投資153億元人民幣建設一座重點生產28nm及以上的圓晶工廠,目標月產4萬片12英寸晶圓,計劃2022年投入使用。而2020年投入500億元于北京成立的中芯京城項目預計將于2024年完工,目標月產10萬片12英寸晶圓。
 
從晶圓工廠的投建速度來看,自2017年以來,中國已建成39個半導體晶圓廠。在這些工廠中,有35家為中國獨資工廠,其余為外資獨資工廠。中國大陸擁有世界上進行中最多的半導體晶圓廠建設項目,目前有57個晶圓廠正在運營,有26個晶圓廠正在建設或計劃中,其中300mm晶圓廠為19個,200mm的有7個。
 
芯謀研究首席分析師顧文軍對第一財經表示,半導體是周期性產業(yè),產能緊缺可能在明年得到緩解,后年部分工藝及產品可能出現(xiàn)產能相對過剩,但長期來看,中國半導體的產能供需缺口依然很大。
 
“如果不積極擴產,至2025年國內產能缺口將拉大到至少相當于8個中芯國際的產能。”顧文軍說。
 
他認為,晶圓代工產能不足制約了中國芯片設計產業(yè)的增速。2020年,位于中國大陸的晶圓代工產能折合8英寸晶圓約150萬片/月,而中國芯片設計企業(yè)的全部產能需求折合8英寸晶圓達到200萬片/月,缺口達到50萬片/月。通過跟蹤國內晶圓制造項目的建設情況和預期,芯謀研究預計,到2025年由于晶圓制造產能建設嚴重落后于芯片設計產品的發(fā)展速度,這一缺口將繼續(xù)增大。
 
中國工程院院士、浙江大學微納電子學院院長吳漢明則在一場論壇中表示,中國半導體制造業(yè)的發(fā)展面臨著政治、產業(yè)兩方面的壁壘,以及精密圖形技術、新材料、提升良率三大工藝挑戰(zhàn)。對此,中國芯片制造業(yè)應從發(fā)展特色工藝、先進封裝、系統(tǒng)架構三方面尋求發(fā)展機會,建設公共技術平臺,以實現(xiàn)產學研協(xié)同創(chuàng)新。
 
吳漢明認為,后摩爾時代,材料方面的突破將成為芯片性能進一步躍升的機會。默克中國總裁兼電子科技中國區(qū)董事總經理安高博(AllanGabor)也對第一財經表示:“從需求和量而言,中國大陸是全球增長最快的半導體材料市場。在整個芯片加工過程中,摩爾定律基本上越來越接近物理極限,但需求還在那里,芯片需要不斷演進,要求運算更快、功耗更低。未來需要材料領域的創(chuàng)新和突破,幫助摩爾定律繼續(xù)推進。”
 
此外,吳漢明認為,建設本土可控的成熟制程產線,比尋求進口的高端制程產品更有意義,“相比完全進口的7nm,本土可控的55nm意義更大”。 
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