從硅到寬禁帶半導(dǎo)體材料，不斷提升性能和應(yīng)用范圍，推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的不斷進(jìn)步。技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)性能迭代，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件的市場(chǎng)應(yīng)用也已從單一領(lǐng)域向多行業(yè)擴(kuò)展，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈正加速國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展?jié)摿褪袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。隨著材料科學(xué)和制造工藝的持續(xù)進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件將進(jìn)一步邁向高性能、高可靠性的境界。GaN和SiC材料的應(yīng)用將更加廣泛。 

5月23-24日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）于南京召開。本次會(huì)議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司、北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司、ULVAC愛發(fā)科集團(tuán)等單位協(xié)辦。 

其中，“硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件”分會(huì)圍繞硅基功率器件與集成技術(shù)、碳化硅功率器件與集成技術(shù)、模組封裝與應(yīng)用技術(shù)等主題，來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)二十余位代表共同深入探討，追蹤最新進(jìn)展。浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院研究員王珩宇，復(fù)旦大學(xué)智能機(jī)器人與先進(jìn)制造創(chuàng)新學(xué)院副教授劉盼，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅，西安理工大學(xué)教授、國(guó)際合作處處長(zhǎng)楊媛受邀共同主持了本次分會(huì)。

西安理工大學(xué)教授、國(guó)際合作處處長(zhǎng)楊媛

江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)劉欣宇做了”破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來(lái)產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元“的主題報(bào)告。分享了SiC用于射頻器件，光學(xué)器件-AR眼鏡，量子技術(shù)，量子互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，量子中繼器的功能需求，SiC色心控制，SiC用于光催化水分解，SiC的帶隙調(diào)控等方面的進(jìn)展。報(bào)告指出，HTCVD原料中沒(méi)有N原子，可以更高效的制備半絕緣SiC襯底。HTCVD可有效減少雜質(zhì)原子，降低內(nèi)部缺陷濃度，減少材料的光散射/吸收，提高透光率。

西安電子科技大學(xué)杜豐羽做了”高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展“的主題報(bào)告，報(bào)告介紹了包括高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進(jìn)展，討論高性能SiC功率器件關(guān)鍵性能提升和可靠性等方面熱點(diǎn)問(wèn)題，旨在通過(guò)關(guān)鍵工藝技術(shù)和芯片結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新，提高器件的綜合性能和長(zhǎng)期可靠性。報(bào)告顯示，研究采用鎢基金屬體系，開發(fā)出可用于500℃環(huán)境長(zhǎng)時(shí)工作的新型SiC歐姆接觸。對(duì)器件進(jìn)行大規(guī)模陣列化探索。設(shè)計(jì)并制備8 X 8 64位圖形傳感器陣列?？蓪?shí)現(xiàn)500℃環(huán)境下的的成像功能。

通富微電子股份有限公司通富研究院Power技術(shù)中心負(fù)責(zé)人邢衛(wèi)兵做了“新能源時(shí)代的封測(cè)技術(shù)與趨勢(shì)”的主題報(bào)告，分享了汽車半導(dǎo)體封裝最新趨勢(shì)等。報(bào)告指出，汽車電子短期內(nèi)依靠新能源車普及所帶來(lái)的動(dòng)力電子化，其中功率半導(dǎo)體和車載MCU首先獲益。新能源車中功率半導(dǎo)體芯片使用量對(duì)比燃油車接近翻番，而隨著高壓、高功率應(yīng)用平臺(tái)的使用，功率模塊將成為核心，包括IGBT模塊，以及具備耐高溫、高壓、低功耗的第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的應(yīng)用。

北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司王帥做了“SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)進(jìn)展。報(bào)告指出，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾主要在晶圓加工和模塊封裝測(cè)試進(jìn)行布局，具備完善的6英寸SiC功率芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，8英寸芯片研發(fā)線也將在2025年第四季度完成升級(jí)通線。GaN射頻芯片是基于GaN材料制造的高頻高功率半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用在通信、干擾、加熱，電子戰(zhàn)等領(lǐng)域。目前在通信行業(yè)主要發(fā)展方向?yàn)楦哳l高效率，在射頻能源應(yīng)用主要發(fā)展方向?yàn)楦邏捍蠊β剩漕l電源應(yīng)用方向主要為低頻大功率。國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾作為國(guó)內(nèi)SiC基GaN的重要供應(yīng)商，在以上領(lǐng)域已有全面布局，并進(jìn)行大批量供貨。

3D集成技術(shù)通過(guò)垂直堆疊與多維互聯(lián)，進(jìn)一步突破傳統(tǒng)平面器件的性能瓶頸，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體在能源、通信、國(guó)防等領(lǐng)域的革新應(yīng)用。中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅做了“寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)”的主題報(bào)告，報(bào)告圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析。報(bào)告指出，寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)正從單點(diǎn)突破向系統(tǒng)化發(fā)展邁進(jìn)，但異質(zhì)界面質(zhì)量控制、熱應(yīng)力調(diào)控及成本優(yōu)化仍是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。未來(lái)需結(jié)合新型材料、先進(jìn)工藝與異質(zhì)融合架構(gòu)，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體在AI計(jì)算、新能源汽車、航空航天等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。

電子科技大學(xué)教授章文通做了“基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI BCD技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理、高溫高壓SOI超結(jié)BCD技術(shù)等研究成果。研究將功率半導(dǎo)體器件電場(chǎng)分解為電離電荷產(chǎn)生的電荷場(chǎng)和外加電勢(shì)產(chǎn)生的電勢(shì)場(chǎng)，從而將功率半導(dǎo)體優(yōu)化的本質(zhì)歸結(jié)為電荷場(chǎng)對(duì)電勢(shì)場(chǎng)的調(diào)制。研究有效解決了傳統(tǒng)平衡超結(jié)因高劑量引起的PN結(jié)提前擊穿問(wèn)題，顯著提升了器件性能。

場(chǎng)板技術(shù)是高壓器件設(shè)計(jì)中廣泛使用的電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)，因?yàn)樗c制造工藝完全兼容。濟(jì)南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院教授張春偉做了“場(chǎng)板技術(shù)中的電場(chǎng)調(diào)制機(jī)制研究：基于電荷的視角”的主題報(bào)告，分享最新研究成果。其中，為了控制感應(yīng)電荷密度，研究提出了沿源極到漏極方向?qū)挾戎饾u減小的三維場(chǎng)板（3D-VDFP）。此外，提出了一種由感應(yīng)板和調(diào)節(jié)板組成的新型超場(chǎng)板（SuFP）。基于500V LIGBT的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，所提出的超場(chǎng)板實(shí)現(xiàn)了電荷平衡和均勻的電子傳輸

南京郵電大學(xué)博士代玙璇做了“智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計(jì)”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究成果。報(bào)告顯示，針對(duì)仿真技術(shù)，采用機(jī)器學(xué)習(xí)可實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)精度> 95%, 預(yù)測(cè)速度提升了106 ；針對(duì)建模技術(shù)，物理模型的引入可進(jìn)一步優(yōu)化訓(xùn)練數(shù)據(jù)量；建模難度大幅度降低，預(yù)測(cè)精度> 95%；針對(duì)設(shè)計(jì)技術(shù)，可自動(dòng)實(shí)現(xiàn)滿足目標(biāo)性能的要求，無(wú)人工干預(yù)，預(yù)測(cè)誤差<5%，設(shè)計(jì)時(shí)間降至數(shù)分鐘。另外，物理知識(shí)的引入不僅可使設(shè)計(jì)滿足目標(biāo)性能，還可加速器件的設(shè)計(jì)進(jìn)程。同時(shí)，超過(guò)71%的結(jié)構(gòu)都是理想設(shè)計(jì)，僅3%不符合預(yù)期。

北京昕感科技（集團(tuán)）副總，功率模塊事業(yè)部負(fù)責(zé)人李道會(huì)做了“面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，車規(guī)主驅(qū)應(yīng)用對(duì)于碳化硅器件設(shè)計(jì)制造技術(shù)，以及碳化硅封裝技術(shù)的設(shè)計(jì)-工藝-材料-電性能及可靠性等方面提出了更具挑戰(zhàn)性的要求，需要碳化硅從業(yè)者面對(duì)挑戰(zhàn)，與車企高度配合形成技術(shù)產(chǎn)品閉環(huán)。

愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴做了“面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新”的主題報(bào)告，分享了面向碳化硅離子注入、IGBT離子注入、GaN器件離子注入的技術(shù)方案。報(bào)告指出，IGBT、碳化硅MOSFET等功率器件需精確控制摻雜以優(yōu)化載流子遷移率、擊穿電壓及熱穩(wěn)定性。傳統(tǒng)摻雜工藝在碳化硅（SiC）材料中面臨極端硬度與高溫處理需求的雙重限制。盡管離子注入已成為主流技術(shù)，但在生產(chǎn)效率（如SiC器件）、缺陷控制及能量可擴(kuò)展性方面仍存在顯著挑戰(zhàn)。

山東大學(xué)教授彭燕做了“基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究”的主題報(bào)告，報(bào)告系統(tǒng)探討了SiC/金剛石異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面的應(yīng)力演變特征。揭示了不同溫度和厚度條件下金剛石膜的應(yīng)力分布規(guī)律及其影響機(jī)制。通過(guò)將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與有限元仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，證明基于溫度修正的應(yīng)力計(jì)算方法是評(píng)估多層系統(tǒng)熱應(yīng)力的有效手段，為相關(guān)器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供了重要的理論依據(jù)和實(shí)踐指導(dǎo)。

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所董剛做了“金剛石材料研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享了國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展以及46所研究進(jìn)展。報(bào)告顯示，金剛石多晶在散熱領(lǐng)域的應(yīng)用，面臨著 大尺寸金剛石多晶的加工、金剛石與其他材料的界面問(wèn)題、成本問(wèn)題等挑戰(zhàn)。金剛石單晶面臨著 大尺寸、高質(zhì)量單晶的批量研制、金剛石單晶的加工問(wèn)題；金剛石的n型摻雜問(wèn)題等。報(bào)告指出，以金剛石作為散熱材料解決GaN等典型功率器件的散熱問(wèn)題，面臨材料、成本、技術(shù)等多重挑戰(zhàn)，但是隨著技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)鏈的逐漸成熟，有望在未來(lái)5-10年內(nèi)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，成為高功率器件的主流解決方案。

江南大學(xué)喻俊峰做了“高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究”的主題報(bào)告，分享了SGT MOS輻照現(xiàn)象及機(jī)理、新型SGT MOS輻照加固設(shè)計(jì)等研究進(jìn)展。報(bào)告顯示，研究定性給出SGT MOSFET總劑量輻照在OFF態(tài)下由電荷失衡主導(dǎo)，ON態(tài)下由DIBL效應(yīng)主導(dǎo)的失效機(jī)理，并建立了較完善的輻照失效模型；創(chuàng)新地提出降低輻照電荷敏感點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，進(jìn)而開發(fā)抗輻照加固關(guān)鍵工藝，建立了相關(guān)電荷輻照模型；研制滿足同時(shí)滿足ON/OFF TID 100 Krad、150 Krad指標(biāo)的30 V抗輻照G2-SGT新器件，有利地支持后續(xù)的抗輻照SGT器件研究。

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院研究員王珩宇做了“碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)”的主題報(bào)告，探討碳化硅超級(jí)結(jié)器、碳化硅浮島結(jié)器件研究進(jìn)展。報(bào)告指出，SiC功率器件性能逐漸接近了其一維理論極限，進(jìn)一步降低電阻和功率損耗遇到了技術(shù)瓶頸，超級(jí)結(jié)和浮島結(jié)技術(shù)通過(guò)空間電荷補(bǔ)償，可以實(shí)現(xiàn)高效電場(chǎng)分布，進(jìn)而突破SiC器件一維電阻極限。SiC超級(jí)結(jié)和浮島結(jié)技術(shù)都分別提高了碳化硅器件的性能，并成功實(shí)現(xiàn)了一維極限的突破。SiC超級(jí)結(jié)和浮島結(jié)系列器件的性能尚未兌現(xiàn)其理論性能優(yōu)勢(shì)，未來(lái)有希望將呈倍數(shù)級(jí)提升器件性能（功率品質(zhì)因數(shù)FOM），并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。SiC超級(jí)結(jié)器件的動(dòng)態(tài)特性、可靠性有待深入研究。

熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長(zhǎng)&總經(jīng)理朱正宇做了“功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望”的主題報(bào)告，分享市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)與功率器件封裝技術(shù)趨勢(shì)與現(xiàn)代封裝技術(shù)的關(guān)鍵突破。報(bào)告指出，隨著對(duì)功率密度的追求和性價(jià)比的提升，新一代器件的誕生必將需要相匹配的功率器件封裝技術(shù)； 封裝制約著器件的應(yīng)用，應(yīng)該重視封裝技術(shù)的發(fā)展以發(fā)揮新一代器件的特性優(yōu)勢(shì)； 導(dǎo)熱和散熱結(jié)構(gòu)和材料的創(chuàng)新迭代是新一代器件發(fā)展應(yīng)用的關(guān)鍵；功率封裝的設(shè)計(jì)需要經(jīng)大數(shù)據(jù)和智能化加持的設(shè)計(jì)工具包（EDA）；新一代器件及其封裝的可靠性評(píng)價(jià)方法和標(biāo)準(zhǔn)需要結(jié)合實(shí)際的應(yīng)用不斷發(fā)展完善。

功率器件結(jié)溫的準(zhǔn)確提取是其狀態(tài)監(jiān)測(cè)、可靠性評(píng)估和健康管理的重要基礎(chǔ)。北京智慧能源研究院任海做了“基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究”的主題報(bào)告，分享了溫敏參數(shù)及校溫曲線系統(tǒng)評(píng)估、碳化硅MOSFET模塊測(cè)試驗(yàn)證等研究進(jìn)展。報(bào)告指出，碳化硅MOSFET柵氧界面態(tài)缺陷密度高，需要對(duì)溫敏參數(shù)及對(duì)應(yīng)校溫曲線開展穩(wěn)定性、重復(fù)性、溫敏性的系統(tǒng)評(píng)估。提出基于導(dǎo)通壓降VDS的短脈沖大電流結(jié)溫測(cè)量方法，可用于并聯(lián)SBD芯片的碳化硅MOSFET模塊結(jié)溫測(cè)量。通過(guò)與紅外熱成像方法和電學(xué)方法的比較，驗(yàn)證了所提出的測(cè)量方法的準(zhǔn)確性，碳化硅MOSFET模塊的熱阻（Rth）重復(fù)性測(cè)量誤差小于3%，與紅外法相比，結(jié)溫（Tj）測(cè)量的誤差約為1%。碳化硅器件的結(jié)溫測(cè)量相比硅器件面臨更多挑戰(zhàn)，可滿足實(shí)際應(yīng)用需求的溫敏參數(shù)較少，亟需研究新的結(jié)溫測(cè)量方法和測(cè)量技術(shù)。

南京郵電大學(xué)教授劉宇做了“可調(diào)節(jié)柵級(jí)輔助LIGBT實(shí)現(xiàn)Von與Eoff的更優(yōu)平衡研究”的主題報(bào)告。報(bào)告圍繞研究背景、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、實(shí)驗(yàn)+仿真驗(yàn)證、原理分析及結(jié)果討論做了介紹。報(bào)告介紹，目前器件角度還只處于仿真階段，如何從工藝角度實(shí)現(xiàn)并應(yīng)用需要繼續(xù)摸索。鐵電非易失特性還有更多可以發(fā)掘的地方，同時(shí)非易失特性在功耗方面可能存在優(yōu)勢(shì)可以探索。

南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司研發(fā)總監(jiān)李士顏?zhàn)隽?ldquo;新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展”的主題報(bào)告，報(bào)告介紹國(guó)際上SiC電力電子芯片及模塊的研究現(xiàn)狀及趨勢(shì)，展示中國(guó)電科55所針對(duì)數(shù)據(jù)中心和新能源汽車應(yīng)用，在400V-1200V電壓等級(jí)SiC芯片及模塊的研究進(jìn)展，展示了最新一代平面型和溝槽型SiC MOSFET研究成果，討論SiC芯片及模塊在數(shù)據(jù)中心和新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

復(fù)旦大學(xué)智能機(jī)器人與先進(jìn)制造創(chuàng)新學(xué)院副教授劉盼做了“1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究”的主題報(bào)告。她表示，對(duì)兩類功率器件Si IGBT與SiC MOSFET在短路工況下的電學(xué)特性與失效機(jī)理進(jìn)行探究，分析了兩種器件在短路條件下的失效類型與失效機(jī)理，提出提升器件短路性能的優(yōu)化方案?；诠に嚨母呔裙β势骷Ｐ蛯?duì)失效分析、失效機(jī)理的研究至關(guān)重要。利用多準(zhǔn)則TOPSIS算法可快速對(duì)器件工藝參數(shù)優(yōu)化，在保證關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)的同時(shí)，提升器件短路性能。結(jié)合深P阱設(shè)計(jì)和器件結(jié)構(gòu)改進(jìn)，可進(jìn)一步提升SiC MOSFET短路性能。

東南大學(xué)副研究員魏家行做了“碳化硅功率MOS器件技術(shù)新進(jìn)展”的主題報(bào)告，從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展，并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做出展望。

廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)做了“功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)”的主題報(bào)告，為了評(píng)估功率MOSFET在雪崩條件下的堅(jiān)固性，非嵌位感性開關(guān)（UIS）已成為一種標(biāo)準(zhǔn)方法。在UIS測(cè)試中，器件內(nèi)部寄生三極管開啟是主要的失效機(jī)制。報(bào)告對(duì)改善UIS性能的方法進(jìn)行綜述，并討論了一些特例。

南京郵電大學(xué)胡子偉博士做了“碳化硅功率器件高K介質(zhì)調(diào)制技術(shù)”的主題報(bào)告

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，西安理工大學(xué)汪雅馨做了“碳化硅功率LDMOS與CMOS集成技術(shù)的研究”的主題報(bào)告，結(jié)合國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀，分享了新型功率SiC LDMOS設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展。結(jié)果顯示，通過(guò)研究高電壓功率SiC LDMOS和低壓器件的設(shè)計(jì)和工藝，以實(shí)現(xiàn)控制電路與功率器件的全SiC集成技術(shù)，對(duì)于提升功率系統(tǒng)整體的最高工作溫度、工作效率和可靠性具有極大意義。

圓桌對(duì)話 

在圓桌對(duì)話環(huán)節(jié)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)趙璐冰博士主持下，與揚(yáng)杰科技功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊、鎵和半導(dǎo)體董事長(zhǎng)/南京郵電大學(xué)教授唐為華、中國(guó)科學(xué)院微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅、超芯星半導(dǎo)體董事長(zhǎng)劉欣宇、昕感科技副總經(jīng)理李道會(huì)、西安理工大學(xué)國(guó)際合作與交流處處長(zhǎng)楊媛一起，就國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體如何有效打開應(yīng)用市場(chǎng)、技術(shù)迭代、成本下降、新場(chǎng)景，以及國(guó)內(nèi)外技術(shù)&市場(chǎng)等主要核心點(diǎn)的對(duì)比，氧化鎵等材料未來(lái)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)等熱點(diǎn)問(wèn)題展開討論。

（會(huì)議內(nèi)容詳情，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體公號(hào)）