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第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議征文及報(bào)名工作正有序進(jìn)行中

日期:2021-07-21 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:531
核心提示:每?jī)赡暌粚玫娜珖?guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議(WBSC)迎來(lái)了第四屆,將于2021年10月12-15日(延期至11月7-10日)在美麗的鷺島廈門舉辦。
 寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一,國(guó)際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn),基于寬禁帶半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè),并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動(dòng)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展,加強(qiáng)各界交流與協(xié)同創(chuàng)新,八年前,首屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議召開(kāi)。
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今年,每?jī)赡暌粚玫娜珖?guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議(WBSC)迎來(lái)了第四屆,將于2021年10月12-15日延期至11月7-10日在美麗的鷺島廈門舉辦。由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)共同主辦,廈門大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。
 
據(jù)了解,本屆大會(huì)以“芯動(dòng)力·新征程--寬禁帶半導(dǎo)體的機(jī)遇與挑戰(zhàn)”為主題,由廈門大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長(zhǎng)共同擔(dān)任大會(huì)主席。同時(shí),邀請(qǐng)了強(qiáng)大的顧問(wèn)委員會(huì)、程序委員會(huì)、組織委員會(huì)專家團(tuán)。
 
其中,特邀請(qǐng)科學(xué)技術(shù)部原副部長(zhǎng)曹健林,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)物理系教授甘子釗,中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓共同擔(dān)任大會(huì)名譽(yù)主席;特邀請(qǐng)北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授擔(dān)任程序委員會(huì)主席,中科院半導(dǎo)體所研究員李晉閩,江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)徐科,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山,國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)阮軍共同擔(dān)任程序委員會(huì)副主席;特邀請(qǐng)廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)陳志濤和南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授劉斌共同擔(dān)任組織委員會(huì)主席,中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所原所長(zhǎng)楊輝,北大東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、寬禁帶半導(dǎo)體中心主任張國(guó)義擔(dān)任大會(huì)副主席;廈門大學(xué)教授康俊勇?lián)未髸?huì)執(zhí)行主席。
 
屆時(shí),大會(huì)強(qiáng)大的專家團(tuán)隊(duì)將與來(lái)自國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表們一道,圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。深信這次會(huì)議必將對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。
 
據(jù)組委會(huì)介紹,目前大會(huì)征文及報(bào)名工作正有序進(jìn)行中,正面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料生長(zhǎng)機(jī)理和生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué);寬禁帶半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)與物性表征;寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件;寬禁帶半導(dǎo)體電子器件;新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件等主題方向征文。
 
來(lái)自大會(huì)組委會(huì)的溫馨提示:論文摘要提交將于8月10日截止,報(bào)告錄用通知將于9月1日截止,報(bào)名繳費(fèi)優(yōu)惠將于9月10日截止。歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流!
 
更多詳情見(jiàn)大會(huì)官網(wǎng):www.wbsc.org.cn
 
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