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第三代半導(dǎo)體再添一玩家 汽車SiC邁入放量元年

日期:2021-08-06 來源:財聯(lián)社閱讀:489
核心提示:今日,鴻海、旺宏共同召開簽約儀式,鴻海以25.2億新臺幣(約合5.87億人民幣)收購?fù)晷轮?英寸晶圓廠廠房及設(shè)備,預(yù)計今年年底
 今日,鴻海、旺宏共同召開簽約儀式,鴻海以25.2億新臺幣(約合5.87億人民幣)收購?fù)晷轮?英寸晶圓廠廠房及設(shè)備,預(yù)計今年年底前完成產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)移。
 
鴻海董事長劉揚偉表示,公司計劃將該廠用于研發(fā)生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體,特別是電動汽車所用的碳化硅(SiC)功率元件。這也是鴻海“3+3”策略中,整合電動汽車和半導(dǎo)體的一個重要里程碑。
 
致力于從“勞力密集”向“腦力密集”轉(zhuǎn)型的鴻海,早已將新能源汽車、半導(dǎo)體等新興產(chǎn)業(yè)作為發(fā)展的重點方向。今年4月,劉揚偉就曾表示,除了旺宏6英寸廠之外,鴻海對8英寸廠同樣有興趣,計劃積極布局特殊制程芯片和SiC。
 
SiC崛起 新能源汽車成最大增量來源
 
隨著電動汽車、智能汽車、5G快速發(fā)展,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體快速崛起。其中,SiC由于具備高甸子飽和速度、極高熱導(dǎo)率等特點,以其制成的功率器件性能優(yōu)異,下游主要應(yīng)用于新能源車、智能電網(wǎng)等行業(yè)。HIS數(shù)據(jù)顯示,2025年SiC功率器件市場規(guī)模將達30億美元。
 
新能源汽車方面,SiC器件可有效延長行駛歷程、縮短充電時間、提高電池容量,下游市場的迅速發(fā)展也已成為SiC需求的最大增量來源。目前,特斯拉Model 3已搭載SiC逆變器;比亞迪預(yù)計到2023年,在旗下電動車中實現(xiàn)SiC 基車用功率半導(dǎo)體的全面替代;英飛凌也在5月推出SiC汽車功率模塊。中泰證券分析師張欣預(yù)計,2021年汽車領(lǐng)域SiC有望進入放量元年。
 
與第一代半導(dǎo)體硅晶片類似, SiC晶片也在向大尺寸不斷發(fā)展,提高下游對SiC 片的利用率和生產(chǎn)效率。當(dāng)前,全球市場上,6英寸SiC襯底已實現(xiàn)商業(yè)化,主流大廠也陸續(xù)推出8英寸樣品。7月27日,意法半導(dǎo)體就宣布,制造出首批8英寸SiC晶圓片。
 
現(xiàn)階段,SiC的滲透瓶頸主要是成本過高。不過,據(jù)CASA統(tǒng)計,SiC價格近幾年快速下降,2020年較2017年下降了五成以上。未來,隨著6英寸襯底、外延晶片質(zhì)量提高、8英寸產(chǎn)線實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn),降本效應(yīng)有望顯現(xiàn),推進SiC器件和模塊普及。
 
成本這座山還未越過,SiC也還要面對產(chǎn)能這條大河。雖然廠商紛紛發(fā)力擴產(chǎn),但東興證券分析師吳昊、陳宇哲指出,由于下游市場發(fā)展超過預(yù)期,國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給無法滿足需求,SiC電力電子和射頻存在較大缺口。供給端已成為碳化硅重要制約因素,技術(shù)優(yōu)勢帶來的穩(wěn)定產(chǎn)能將是廠商重要的競爭力。
國內(nèi)SiC相關(guān)廠商中:
 
露笑科技、三安光電已布局SiC襯底;
 
斯達半導(dǎo)3月宣布加碼車規(guī)級SIC模組產(chǎn)線;
 
比亞迪半導(dǎo)體、聞泰科技、華潤微等也有從事SiC器件。
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