11月28日，中國證監(jiān)會國際合作司發(fā)布關于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書，公司擬發(fā)行不超過106,539,400股境外上市普通股并在香港聯合交易所上市。公司51名股東擬將所持合計444,228,787股境內未上市股份轉為境外上市股份，并在香港聯合交易所上市流通。

英諾賽科是全球第一家實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產的企業(yè)，在極短時間內打破了國外公司在氮化鎵功率芯片設計和生產制造領域對中國市場、甚至全球市場的壟斷。按收入計，英諾賽科2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。

氮化鎵（GaN）是由人工合成的一種半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表。相比于硅、砷化稼等第一、二代半導體材料，第三代半導體材料具備高功率、耐高溫、耐高壓等多個方面的明顯優(yōu)勢。

氮化鎵產品如今已經廣泛應用在了消費電子快充、新能源汽車、工業(yè)等領域。英諾賽科也已經收獲小米、OPPO、比亞迪等眾多大客戶。

目前，英諾賽科實現了集芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試等多個產業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身，采用IDM業(yè)務模式（即全產業(yè)鏈模式）?？蛻舭ò雽w制造服務供應商、專門從事可再生能源技術的高科技公司以及汽車OEM的一級供應商。

2021年至2023年，英諾賽科實現的營收分別為0.68億元、1.36億元和5.92億元，2022年同比增長99.7%，2023年增長335.2%，復合年增長率為194.8%。

收入持續(xù)增長的英諾賽科，目前仍未實現盈利。報告期內，英諾賽科經營虧損金額分別10億元、11.8億元和9.8億元，合計31.6億元。

英諾賽科表示，公司持續(xù)虧損原因在于生產設備大幅折舊、大額研發(fā)開支、銷售及營銷開支的不斷增加。

分產品來看，英諾賽科提供分立器件及集成電路、晶圓、模組等產品。2023年，英諾賽科開始供應氮化鎵模組，分立器件及集成電路、晶圓、模組三大產品的營收占比分別為32.4%、35.2%、32.1%。

據招股書，2021年至2023年，中國市場始終是英諾賽科的業(yè)務重心，其收入分別為0.68億、1.3億及5.35億，占同年總收益的99.7%、95.5%及90.2%。

值得關注的是，英諾賽科在海外市場也實現了擴張。

除了在蘇州、珠海建立工廠外，英諾賽科同時在硅谷、首爾、比利時等地設立子公司。2023年，英諾賽科已向國內和海外（包括亞洲、歐洲和北美）約100名客戶提供了氮化鎵產品。2021年至2023年，公司海外市場占同年總收益的0.3%、4.5%及9.8%，2023年營收接近0.58億元。

研發(fā)投入方面，2021年至2023年，其研發(fā)開支分別為6.62億元、5.81億元及3.49億元，分別占同年總運營開支的76.1%、68.4%及50.8%。

英諾賽科稱，研發(fā)開支有所減少，主要是自2022年第二季度起，英諾賽科從研發(fā)階段進展至大規(guī)模生產階段。

英諾賽科在招股書中提到，截至2023年底，公司擁有397名研發(fā)人員。公司在全球有約700項專利和專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

值得一提的是，英諾賽科還擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地。截至2023年12月31日，產能達到每月10000片晶圓，實現了產業(yè)規(guī)模的商業(yè)化，晶圓良率超過95%。

2021年至2023年，英諾賽科的產能利用率分別為72.3%、69.8%及71.8%。

英諾賽科IPO募集所得資金凈額將主要用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能、購買并升級生產設備與機器，以及招聘生產人員；研發(fā)并擴大產品組合擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡等方面。

 來源：財聯社、創(chuàng)業(yè)邦