2021年9月13-14日，美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授張宇昊博士確認(rèn)參加“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)”，并現(xiàn)場(chǎng)分享三個(gè)重量級(jí)報(bào)告。
張宇昊 博士
張宇昊 博士
美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子研究中心助理教授
張宇昊現(xiàn)在是美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授，并領(lǐng)導(dǎo)該中心的器件和功率半導(dǎo)體研究。該中心由FredLee創(chuàng)立，現(xiàn)得到超過(guò)80家公司的資助，擁有電力電子領(lǐng)域基于高校的最大的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟之一。
張宇昊于2013年和2017年在麻省理工學(xué)院分別獲得碩士及博士學(xué)位，并于2011年在北京大學(xué)物理系獲得本科學(xué)位。其研究興趣包括功率器件、寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件封裝、以及電力電子應(yīng)用。張宇昊已發(fā)表文章90余篇，涵蓋多個(gè)領(lǐng)域（IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等），并有4個(gè)已經(jīng)授權(quán)的美國(guó)專利。
張宇昊獲得2017年麻省理工學(xué)院Microsystems Technology Laboratories最佳博士論文獎(jiǎng)、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳論文獎(jiǎng))、2020年IEDM Conference Highlight榮譽(yù)、2021年美國(guó)National Science Foundation CAREER獎(jiǎng)、2021年弗吉尼亞理工優(yōu)秀助理教授獎(jiǎng)。其博士生獲得2021 APEC最佳報(bào)告獎(jiǎng)、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士論文獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。其工作被Nature Electronics, Semiconductor Today, Compound Semiconductor Magazine等媒體報(bào)道50余次。
本次張宇昊博士能出席“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)”確實(shí)機(jī)會(huì)難得，組委會(huì)溝通后，張宇昊博士將一連分享三個(gè)主題報(bào)告，報(bào)告主題如下：
報(bào)告題目#1:Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
簡(jiǎn)介：在電力電子系統(tǒng)中，負(fù)載端的浪涌能量以及串聯(lián)開(kāi)關(guān)的電壓分配不均常常造成器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中承受超過(guò)額定電壓的瞬態(tài)過(guò)壓。功率器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中承受反復(fù)瞬態(tài)過(guò)壓的能力是其魯棒性的關(guān)鍵指標(biāo)之一。本工作創(chuàng)新性地研究了商用碳化硅和氮化鎵器件在反復(fù)過(guò)壓開(kāi)關(guān)中的魯棒性，包括失效和老化過(guò)程及機(jī)理。
報(bào)告題目#2:1.2-10 kV GaN Power Devices: Exceeding SiC Limits
簡(jiǎn)介：近些年來(lái)，氮化鎵成為了主流的功率半導(dǎo)體之一。氮化鎵高電子遷移率晶體管已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了15 V到650 V電壓等級(jí)的商用化。然而，對(duì)于650 V到10 kV的中高壓電力電子應(yīng)用（電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)，電網(wǎng)，新能源，高鐵等），人們常常認(rèn)為碳化硅相比于氮化鎵更有優(yōu)勢(shì)。我們近期關(guān)于高壓氮化鎵功率器件的研究結(jié)果推翻了這一觀點(diǎn)。
報(bào)告題目#3:Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
簡(jiǎn)介：氧化鎵是一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其晶圓已實(shí)現(xiàn)大面積商業(yè)化生產(chǎn)。因而近來(lái)，氧化鎵功率器件受到了極大的關(guān)注。當(dāng)前，氧化鎵器件所面臨的最大的挑戰(zhàn)之一是氧化鎵材料極低的電阻率（碳化硅的1/20）以及所導(dǎo)致的器件功率密度的限制。另外一方面，作為通向應(yīng)用的必經(jīng)之路，大電流氧化鎵器件的制備、封裝和應(yīng)用還極少有報(bào)道。我們近期首次實(shí)現(xiàn)了大面積氧化鎵器件的制成和封裝，并首次報(bào)道了大電流、封裝的氧化鎵器件的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱學(xué)性能。我們制備了大電流垂直結(jié)構(gòu)氧化鎵肖特基二極管，并采用了基于銀燒結(jié)的雙面封裝技術(shù)。
至此，會(huì)務(wù)組也誠(chéng)摯歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位能參會(huì)與張宇昊博士多多交流！更多會(huì)議資料請(qǐng)往下查看：
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【組織機(jī)構(gòu)】
指導(dǎo)單位
南京大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號(hào)
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
贊助支持單位
藍(lán)雨軟件技術(shù)開(kāi)發(fā)(上海)有限公司
愛(ài)發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導(dǎo)體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司
湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司
【時(shí)間地點(diǎn)】
時(shí)間：2021年9月13-14日
地點(diǎn)：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號(hào)）
如果您想?yún)?huì)，可以直接掃碼預(yù)報(bào)名，我們會(huì)第一時(shí)間和您聯(lián)系！
【會(huì)議安排】
【報(bào)告嘉賓&主題報(bào)告】
報(bào)告嘉賓：陳堂勝--中國(guó)電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報(bào)告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報(bào)告嘉賓：陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
報(bào)告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報(bào)告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓：鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報(bào)告：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究
報(bào)告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
報(bào)告嘉賓：陳 鵬--南京大學(xué)教授
報(bào)告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報(bào)告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報(bào)告嘉賓：張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長(zhǎng)、教授
報(bào)告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報(bào)告嘉賓：左 超--愛(ài)發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營(yíng)業(yè)部部長(zhǎng)
報(bào)告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
報(bào)告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報(bào)告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學(xué)副教授
報(bào)告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)
報(bào)告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
報(bào)告嘉賓：楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師
主題報(bào)告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報(bào)告：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中?。?！
1、9月13日?qǐng)?bào)告（陸續(xù)更新中）
報(bào)告嘉賓：于坤山 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)
主題報(bào)告：中國(guó)功率與射頻技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)展望
報(bào)告嘉賓：陳堂勝--中國(guó)電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報(bào)告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報(bào)告嘉賓：陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告：GaN功率開(kāi)關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用
報(bào)告嘉賓：劉斯揚(yáng)--東南大學(xué)教授
主題報(bào)告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：龍世兵--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)
主題報(bào)告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：龍世兵--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)
主題報(bào)告：低成本高性能氧化鎵功率器件
報(bào)告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報(bào)告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報(bào)告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報(bào)告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報(bào)告嘉賓：戴小平-湖南國(guó)芯科技總經(jīng)理
主題報(bào)告：淺析SiC模塊封裝技術(shù)
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報(bào)告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報(bào)告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報(bào)告嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長(zhǎng)
主題報(bào)告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)
報(bào)告嘉賓：紐應(yīng)喜--啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)
主題報(bào)告：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：張 云--天津大學(xué)電氣自動(dòng)化與信息工程學(xué)院教授
主題報(bào)告：新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運(yùn)行控制
2、9月14日?qǐng)?bào)告（陸續(xù)更新中）
報(bào)告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報(bào)告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓：鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報(bào)告：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究
報(bào)告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
主題報(bào)告：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
報(bào)告嘉賓：陳 鵬--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告：GaN肖特基功率器件新進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
報(bào)告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報(bào)告：高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與技術(shù)
報(bào)告嘉賓：李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
主題報(bào)告：基于HBN 的射頻器件
報(bào)告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報(bào)告：Adopt of SiC devices in EV applications
報(bào)告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
主題報(bào)告：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望
報(bào)告嘉賓：張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報(bào)告：金剛石微波功率器件研究
報(bào)告嘉賓：左 超--愛(ài)發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營(yíng)業(yè)部部長(zhǎng)
主題報(bào)告：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)
報(bào)告嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司技術(shù)副總裁/中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
主題報(bào)告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)
報(bào)告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報(bào)告：射頻器件（TBD）
報(bào)告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報(bào)告：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
主題報(bào)告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)
報(bào)告嘉賓：黃潤(rùn)華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
主題報(bào)告：碳化硅MOSFET技術(shù)問(wèn)題及55所產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：黃潤(rùn)華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
主題報(bào)告：碳化硅MOSFET技術(shù)問(wèn)題及55所產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
主題報(bào)告：八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進(jìn)展（TBD）
報(bào)告嘉賓：葉建東--南京大學(xué)教授
主題報(bào)告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
主題報(bào)告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
報(bào)告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學(xué)副教授
主題報(bào)告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
報(bào)告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)
主題報(bào)告：（TBD）
報(bào)告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報(bào)告：VCSEL 技術(shù) (TBD)
報(bào)告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
主題報(bào)告：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師
主題報(bào)告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展
報(bào)告嘉賓：Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報(bào)告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
報(bào)告嘉賓：徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報(bào)告：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報(bào)告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
主題報(bào)告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
報(bào)告嘉賓：樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員
主題報(bào)告：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)
更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中?。?！
【擬參與單位】華為、中興、南京大學(xué)、三安光電、東南大學(xué)、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤(rùn)、基本半導(dǎo)體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學(xué)、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時(shí)代、國(guó)家電網(wǎng)、中芯集成、華潤(rùn)微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學(xué)、江蘇能華、西安交通大學(xué)、北京大學(xué)，電子科技大學(xué)，河北同光、山東天岳、天津大學(xué)、聚能創(chuàng)芯，賽微電子，南京百識(shí)，唐晶量子，天科合達(dá)，漢驊半導(dǎo)體，南京百識(shí)，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右擴(kuò)展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【參會(huì)注冊(cè) 】注冊(cè)費(fèi) 2000 （會(huì)議資料，招待晚宴，自助餐）
開(kāi)戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào)：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
【參會(huì)/贊助/商務(wù)合作】
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想?yún)?huì)，可以直接掃碼預(yù)報(bào)名，我們會(huì)第一時(shí)間和您聯(lián)系！
協(xié)議酒店：城市名人酒店（協(xié)議價(jià)400，含早）
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會(huì)務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測(cè)證明，只要14天內(nèi)沒(méi)去過(guò)中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會(huì)議。
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會(huì)務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測(cè)證明，只要14天內(nèi)沒(méi)去過(guò)中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會(huì)議。
