9月13-14日，“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會(huì)上，Crosslight公司創(chuàng)始人李湛明做了題為“將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角”的主題報(bào)告。他表示，對(duì)于650V或1200V的商用橫向GaNFET，雪崩可能起到一定作用。需要更多的研究來解釋不同實(shí)驗(yàn)室和不同提取方法的實(shí)驗(yàn)IIR的巨大差異。Crosslight TCAD是雪崩模擬的合適工具，GaNPower擁有1200V GaN設(shè)計(jì)的控制權(quán)。
嘉賓簡(jiǎn)介
李湛明早年經(jīng)華人諾獎(jiǎng)得主李政道博士創(chuàng)立的中美聯(lián)合培養(yǎng)物理類研究生計(jì)劃（CUSPEA）前往北美留學(xué)。1995年創(chuàng)立加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司，現(xiàn)已成為全球光電器件及化合物半導(dǎo)體仿真領(lǐng)域知名度最高的商業(yè)軟件公司。2015年創(chuàng)辦了GaNPower International 第三代半導(dǎo)體芯片公司并申請(qǐng)或取得了多項(xiàng)美國(guó)和中國(guó)與氮化鎵器件相關(guān)的發(fā)明專利。李博士發(fā)表了約150篇學(xué)術(shù)論文及國(guó)際專利，并撰寫了兩本有關(guān)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和仿真的技術(shù)專著。
