9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。本屆峰會由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會上，啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜帶來了“碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，碳化硅外延發(fā)展至今從理論、設(shè)備、工藝技術(shù)等方面已經(jīng)取得很大的進(jìn)展。理論方面：首先是臺階流模型的提出，其次是引入TCS生長體系，在理論基礎(chǔ)上，設(shè)備應(yīng)從硅烷體系發(fā)展到了氯基體系，外延設(shè)備也陸續(xù)實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代；再次就是未來4H-SiC外延生長將向多片式、大尺寸、高均勻性、低缺陷方向發(fā)展；最后，為了使器件的性能能夠進(jìn)一步提升，通過外延來實(shí)現(xiàn)部分器件結(jié)構(gòu)，主要是開發(fā)SiC外延溝槽填充技術(shù)，進(jìn)一步降低器件的導(dǎo)通電阻；在高壓應(yīng)用方面，厚膜生長技術(shù)比較滯后，未來需要解決的技術(shù)有：厚膜少子壽命，缺陷控制，材料的均勻性。
嘉賓簡介
鈕應(yīng)喜博士，主要從事第三代半導(dǎo)體材料和器件的研制；申請國家專利64項(xiàng)；牽頭編制國家標(biāo)準(zhǔn)兩項(xiàng)，發(fā)布行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一項(xiàng)，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)多項(xiàng)。發(fā)表論文40余篇；作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人主持安徽省重大項(xiàng)目2項(xiàng)；作為任務(wù)課題負(fù)責(zé)人承擔(dān)2項(xiàng)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃和863項(xiàng)目。為教授級高級工程師，安徽省技術(shù)領(lǐng)軍人才；國際IEC及SEMi化合物標(biāo)準(zhǔn)會委員；全國半導(dǎo)體器件、全國半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)委員會委員。
