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國星光電:公司第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等

日期:2021-12-24 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:481
核心提示:國星光電:公司第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等
12月24日,有投資者向國星光電(002449)提問, 請問公司的分立器件應(yīng)用于新能源汽車嘛?
 
公司回答表示,您好,公司第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等。

12月8日,國星光電(002449.SZ)在投資者互動平臺表示,國星光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品預(yù)計年底前實現(xiàn)小批量產(chǎn);國星光電推出的SiC功率器件、功率模塊和GaN-DFN器件3大系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品,SiC功率器件可廣泛應(yīng)用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域;GaN-DFN器件可廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等;功率模塊可廣泛應(yīng)用于各種變頻器、逆變器的工業(yè)領(lǐng)域。
 
同時,其補充到,國星光電產(chǎn)品能達到歐洲CE認證標(biāo)準(zhǔn)。
 
而針對于是否涉及智能傳感器方面產(chǎn)品這一問題,國星光電表示,國星光電推出基于傳感技術(shù)的新品——智能健康感測器件,可廣泛應(yīng)用于智能手表、智能手環(huán)、VR等設(shè)備場景,該智能健康感測器件已實現(xiàn)量產(chǎn),并積極與國內(nèi)外品牌廠商聯(lián)手合作,共同發(fā)力可穿戴設(shè)備領(lǐng)域。

國星光電推出第三代半導(dǎo)體系列新產(chǎn)品

目前,國星光電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)形成了3大產(chǎn)品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。國星光電打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測企業(yè),堅定高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品路線。
 
●SiC功率器件
 
國星光電SiC功率器件小而輕便,反向恢復(fù)快、抗浪涌能力強、雪崩耐壓高,擁有優(yōu)越的性能與極高的工作效率。目前該領(lǐng)域已形成了2條SiC功率器件拳頭產(chǎn)品線:SiC-MOSFET、SiC-SBD;擁有4種封裝結(jié)構(gòu)(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可廣泛應(yīng)用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域。
 
●GaN-DFN器件
 
國星光電的GaN-DFN器件具有更高的臨界電場、出色導(dǎo)通電阻、更低的電容等優(yōu)勢,使其尤適用于功率半導(dǎo)體器件,降低節(jié)能和系統(tǒng)總成本的同時,工作頻率更高,具有極高的功率密度和系統(tǒng)效率,可極大地提升充電器、開關(guān)電源等應(yīng)用的充電效率,廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等。
 
●功率模塊
 
國星光電第三代半導(dǎo)體功率模塊,采用自主創(chuàng)新的架構(gòu)及雙面高效散熱設(shè)計,具有優(yōu)越的電性能和熱性能,雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等優(yōu)勢,其功率密度大,產(chǎn)品體型小,可廣泛應(yīng)用于各種變頻器、逆變器的工業(yè)領(lǐng)域,滿足系統(tǒng)開發(fā)人員對空間的嚴(yán)格要求。模塊產(chǎn)品可根據(jù)特殊功能需求進行模塊化定制開發(fā)。
 
為做好技術(shù)儲備積累,滿足市場需求,2020年國星光電便啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產(chǎn)線的工作。目前,國星光電第三代半導(dǎo)體新品已正式推出,其中,TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD產(chǎn)品已經(jīng)進入了試產(chǎn)階段,并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)的摸底測試驗證工作。TO-247-3L的性能達到1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L達到1200V、13A、160mΩ。
 
與此同時,公司產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機構(gòu),正在依據(jù)AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關(guān)車規(guī)級和工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)進行認證測試。
 
未來,在國家“十四五”規(guī)劃的偉大藍圖下,國星光電定將持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化,為國家戰(zhàn)略安全、為第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化貢獻力量。

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