據(jù)思特威官方消息，該BSI高端工藝平臺(tái)搭載晶圓鍵合技術(shù)，采用直接鍵合方式降低鍵合過(guò)程中晶圓畸變的產(chǎn)生，大幅提升其鍵合力，實(shí)現(xiàn)高像素性能；同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)更好的BSI光電二極管結(jié)構(gòu)，藉由思特威開發(fā)優(yōu)化的晶圓減薄技術(shù)，可在晶圓研磨減薄中最大程度減少硅的損耗，保障超高精度并將硅襯底厚度成功減薄，而且對(duì)于850nm與940nm的近紅外增強(qiáng)也做了工藝優(yōu)化，保障了晶圓強(qiáng)度并實(shí)現(xiàn)出色的感光性能；此外，該平臺(tái)還采用了業(yè)內(nèi)前沿工藝材料打造硅表面鈍化技術(shù)，避免了晶片拋光后對(duì)光電二極管的損壞，進(jìn)一步減少白點(diǎn)與暗電流的產(chǎn)生，提升CIS的暗光成像表現(xiàn)。