半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息：以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻、高效和高功率密度的特性，特別適用于高電壓高功率器件和5G射頻器件，在新能源車、光伏風(fēng)電、工業(yè)電源、消費(fèi)類電源等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。并正在逐步替代硅基半導(dǎo)體功率器件的市場空間，越來越多的企業(yè)加入了第三代半導(dǎo)體器件的開發(fā)行列，受到車用、工業(yè)與通訊需求的助力，2021年第三代半導(dǎo)體呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢。
據(jù)Yole最新報(bào)告，預(yù)計(jì)碳化硅器件市場規(guī)模將由2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元，復(fù)合增長率達(dá)34%。作為新一代半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體必定是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點(diǎn)核心材料和電子元器件。
碳化硅元件正在推動電動車走向未來。碳化硅元件正在爭奪電動車傳動系統(tǒng)核心的80%左右的功率電子裝置，包括將儲存在汽車電池組中的直流電轉(zhuǎn)換為車輛電動馬達(dá)所需的交流電之主牽引逆變器（Main Traction Inverter）。碳化硅芯片還在電動車其他部分爭取地位，例如車載充電器和直流-直流轉(zhuǎn)換器。Yole認(rèn)為，為了滿足長續(xù)航里程的需求，800V電動車是實(shí)現(xiàn)快速直流充電的解決方案，這就是1200V 碳化硅元件可以發(fā)揮關(guān)鍵作用的地方。
功率半導(dǎo)體芯片是電能輸出控制和高效轉(zhuǎn)換的核心技術(shù)，中國是功率半導(dǎo)體芯片的全球最大市場，同時(shí)也是全球最大的進(jìn)口國。在半導(dǎo)體對外投資受阻情況下，國內(nèi)自主創(chuàng)新發(fā)展是必由之路。
同時(shí)，我國已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升至國家戰(zhàn)略高度，并針對設(shè)計(jì)、制造、封測各環(huán)節(jié)制定明確計(jì)劃，我國相關(guān)政策的陸續(xù)發(fā)布也為第三代半導(dǎo)體的發(fā)展提供了良好的政策支持。“十四五”規(guī)劃指出，計(jì)劃在2021-2025年間，推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。未來，國產(chǎn)替代和創(chuàng)新浪潮仍是未來電子行業(yè)的發(fā)展主軸。國家2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要提出要加快發(fā)展現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系，堅(jiān)持自主可控、安全高效，加快補(bǔ)齊基礎(chǔ)元器件的瓶頸短板。國內(nèi)終端廠商逐步將供應(yīng)鏈轉(zhuǎn)移至國內(nèi)，有助于真正發(fā)揮上下游聯(lián)動發(fā)展的協(xié)同作用，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代持續(xù)加速進(jìn)行，給中國本土企業(yè)帶來了絕佳的市場機(jī)會。
“后摩爾時(shí)代”也給器件的封裝帶來了更多挑戰(zhàn)，設(shè)備的便攜化要求器件封裝可以提升器件整體性能，集成更多功用，同時(shí)要減少能耗。這些挑戰(zhàn)使得器件封裝開始向三維層次發(fā)展，推動了異構(gòu)集成（Heterogeneous Integration）封裝技術(shù)成為“后摩爾時(shí)代“的重要支柱。新技術(shù)的誕生為半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中的良率提升及失效分析帶來了新的挑戰(zhàn)。
一方面各種器件結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化使得制程偏差帶來的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)缺陷變得更加不容易被發(fā)現(xiàn)。還原缺陷結(jié)構(gòu)的原貌通常需要大量并快速的移除器件結(jié)構(gòu)中多余的材料，同時(shí)可以有效進(jìn)行根本性分析。
另一方面，新材料的研發(fā)也在推動“后摩爾時(shí)代“的半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)更高的性能，并運(yùn)用到更多環(huán)境當(dāng)中。例如基于第三代化合物半導(dǎo)體材料的寬帶隙功率器件使制造更高性能、更可靠的組件成為可能，這些組件可以使功率效率提升并在更嚴(yán)苛的操作環(huán)境下使用。然而，這些材料面臨生產(chǎn)過程中良率提升的需求，也會引入新的失效模式。
因此，如何快速有效的提升良率，并對失效進(jìn)行關(guān)鍵性分析，就成為半導(dǎo)體工業(yè)界所面臨的重要挑戰(zhàn)。
為了更好的助力半導(dǎo)體企業(yè)在后摩爾時(shí)代的“芯“航程，快速提高良率，有效解決失效分析的難點(diǎn)痛點(diǎn)，賽默飛世爾科技帶來了一場與高效率電鏡技術(shù)相關(guān)的線上面對面的探討交流，歡迎一同參加！
【直 播 預(yù) 告】
演講主題：“更快，更深，更全”--高效率雙束電鏡在半導(dǎo)體量產(chǎn)工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
主講嘉賓：蔡琳玲 （賽默飛世爾科技PFA業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）
課程簡介：雙束電鏡是半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域過程控制以及失效分析的重要手段，它可以實(shí)現(xiàn)定點(diǎn)位置的快速加工和高分辨SEM成像，而Xe+離子FIB(PFIB)技術(shù)有別于傳統(tǒng)的Ga+離子，具有更高的束流，可實(shí)現(xiàn)高通量的切割和表征，將數(shù)據(jù)處理時(shí)間縮短至數(shù)小時(shí)而不是以往所需的數(shù)天或數(shù)周，同時(shí)對于第三代半導(dǎo)體，Xe+離子加工技術(shù)還可有效避免Ga+污染。此報(bào)告將從FIB-SEM的基本原理和前沿技術(shù)出發(fā)，重點(diǎn)介紹Helios 5 PFIB在芯片封裝、第三代半導(dǎo)體、顯示面板等領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢。
嘉賓簡介：蔡琳玲在賽默飛世爾科技擔(dān)任PFA商務(wù)拓展經(jīng)理，有著10多年電鏡技術(shù)支持的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，具有堅(jiān)實(shí)的顯微鏡理論基礎(chǔ)以及豐富的實(shí)際應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，對于電鏡產(chǎn)品如何助力于邏輯、存儲、化合物半導(dǎo)體、封裝以及面板類產(chǎn)品的研發(fā)以及良率提升有著持續(xù)和深入的研究，對于半導(dǎo)體工業(yè)各類樣品的的失效分析方法都非常熟悉。基于她豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，她可以為不同行業(yè)的客戶提供相適應(yīng)的EFA到PFA的失效解決方案。
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關(guān)于賽默飛世爾科技：賽默飛世爾科技在全球商業(yè)擁有巨大的影響力，其進(jìn)入中國發(fā)展已近40年，其在中國的總部設(shè)于上海，并在北京、廣州、香港、成都、沈陽、西安、南京、武漢、濟(jì)南等地設(shè)有分公司，產(chǎn)品主要包括分析儀器、實(shí)驗(yàn)室設(shè)備、試劑、耗材和軟件等，提供實(shí)驗(yàn)室綜合解決方案，為各行各業(yè)的客戶服務(wù)。
對于半導(dǎo)體制造商和電子行業(yè)，其將電氣分析解決方案與 SEM、TEM、S/TEM、DualBeam FIB/SEM 以及高級軟件套件結(jié)合起來， 以最高的成功率和生產(chǎn)率提供根本原因分析。其業(yè)界領(lǐng)先的工作流程可以為加速IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)決策提供快速、準(zhǔn)確的解決方案。故障隔離和分析產(chǎn)品提供一流的圖像、豐富的功能集、橫斷面計(jì)量和自動化，以加快工藝缺陷識別、減少產(chǎn)量損失和縮短新產(chǎn)品上市時(shí)間。
賽默飛世爾科技為電子顯微鏡和微觀分析提供創(chuàng)新的解決方案，通過將高分辨率成像與各種規(guī)模和模式的物理、元素、化學(xué)和電氣分析相結(jié)合，通過最廣泛的樣本類型，讓客戶完成從問題到獲得可用數(shù)據(jù)的過程。
