半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：半導(dǎo)體作為信息產(chǎn)業(yè)的基石，尤其是進入2020年，發(fā)達國家紛紛將半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)上升到國家安全戰(zhàn)略層面。盡管與國際尚有差距，但在國家科技計劃支持下，我國已初步形成從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈，市場需求、政策支持等多種因素也在促成我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢上漲，產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)實力提升，與先進水平差距在不斷縮小。創(chuàng)“芯”之道，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)該如何迎接新時代的機遇和挑戰(zhàn)?

6月22日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)主辦的“【強芯沙龍】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略沙龍”之氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件專場開講，邀請到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條“產(chǎn)學(xué)研用資”多方高層代表做客極智課堂-強芯沙龍直播間，云端論劍，把脈產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，尋“芯”問道，促進合作。

本期沙龍聚焦氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件，特別邀請到香港科技大學(xué)講座教授陳敬，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、教授沈波，晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長兼總裁程凱博士，英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理陳鈺林，并特邀第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰博士擔(dān)任嘉賓主持人?！贰贰?strong>【嘉賓簡介】

嘉賓簡介

值得關(guān)注的是，ISPSD 2022于5月22-25日在加拿大溫哥華舉行。功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議（ISPSD）是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國際上最重要、影響力最強的頂級學(xué)術(shù)會議，它被認為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會議，一直以來都是國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)和全球知名學(xué)術(shù)科研機構(gòu)爭相發(fā)表和展示功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)重要成果的舞臺。近幾年來，隨著政府支持和社會投入力度的不斷加大，我國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得可喜的進步，并得到國際同行的認可。香港科技大學(xué)講座教授陳敬（Kevin J. Chen）擔(dān)任ISPSD 2022大會副主席。同時還將擔(dān)任下一屆ISPSD 2023大會主席。

香港科技大學(xué)講陳敬教授分享引言報告

沙龍伊始，陳敬教授首先分享了題為《從ISPSD2022 看氮化鎵功率電子的發(fā)展》的引言報告，結(jié)合ISPSD2022的情況，具體分享了氮化鎵技術(shù)的最新研究進展與研究成果，涉及氮化鎵器件技術(shù)以及可靠性等方面的最新進展。從器件技術(shù)發(fā)展來看，硅基氮化鎵進入產(chǎn)業(yè)化，關(guān)注點轉(zhuǎn)為硅基氮化鎵 HEMT特有的可靠性、穩(wěn)定性問題。器件研究走向探索橫向器件高壓能力的探索?？煽啃苑矫鎰t聚焦柵極。

報告指出，垂直氮化鎵功率器件的關(guān)注點，涉及襯底技術(shù)，結(jié)終端涉及和實現(xiàn)（離子注入），性能、可靠性。GaN Iateral HEMT則涉及電場分布優(yōu)化，硅基之外的襯底選擇。硅基氮化鎵HEMT面向更加廣泛的應(yīng)用場景的可靠性，關(guān)注柵極結(jié)構(gòu)的特性等。

氮化鎵材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻照等優(yōu)越性能；切合國家 “新基建”的國家戰(zhàn)略需求，例如5G/6G、智能電動汽車，大數(shù)據(jù)中心等，氮化鎵是支持新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng) 等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點核心材料和電子元器件。

隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新建產(chǎn)能及擴產(chǎn)速度加快，疊加新冠疫情造成物流運輸服務(wù)受阻導(dǎo)致國外材料供應(yīng)、零部件交期不斷延遲，為我國一些具有高成長潛力的國內(nèi)半導(dǎo)體材料零部件企業(yè)帶來國產(chǎn)替代的機會。然而，我國半導(dǎo)體材料零部件產(chǎn)業(yè)作為進行技術(shù)追趕的后發(fā)產(chǎn)業(yè)，除了要彌補在基礎(chǔ)工藝研究投入和專業(yè)人才培養(yǎng)上的差距外，由于半導(dǎo)體材料零部件行業(yè)本身的特點，與國外領(lǐng)先企業(yè)競爭時還面臨諸多挑戰(zhàn)。

在線討論

在隨后的討論環(huán)節(jié)，圍繞著氮化鎵最新技術(shù)發(fā)展趨勢和產(chǎn)業(yè)化可能性，與會嘉賓們與線下嘉賓展開了兼具現(xiàn)實性與前瞻性的深入探討與交流，涉及GaN HEMT不同技術(shù)路線分析、GaN功率器件不同應(yīng)用市場的發(fā)展情況、GaN功率器件在手機和新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，GaN-on-SOI、GaN on GaN、GaN IC等技術(shù)發(fā)展趨勢和產(chǎn)業(yè)化可能性如何等當前國內(nèi)外備受關(guān)注的諸多問題，并有現(xiàn)場諸多技術(shù)問題的精彩答疑解惑。

本期主要討論問題

直播中，先進技術(shù)話題引領(lǐng)，深度與廣度齊飛。頭部企業(yè)，資深行業(yè)技術(shù)專家，不同視角碰撞之下，務(wù)實又信息量巨大，站在技術(shù)與產(chǎn)業(yè)前沿的專家們也在不斷傳遞最新的動態(tài)與信息。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展浪潮涌動，競爭格局仍未成型。無論如何，與時俱進，把握先機才有可能傲立潮頭。更多精彩對話內(nèi)容，可詳見直播回放~~

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