半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：8月17日，第十七屆全國MOCVD學術(shù)會議在山西太原勝利閉幕。

 

大會主席、半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任李晉閩研究員，國家自然科學基金委員會信息學部副主任何杰，中北大學校長熊繼軍教授，北京大學理學部副主任、教授沈波，西安電子科技大學副校長張進成教授，鄭州大學副校長單崇新教授等嘉賓出席了閉幕式。

 

 

閉幕式的大會主題報告環(huán)節(jié)，圍繞第三代半導體技術(shù)一些關(guān)鍵難題分享了最新研究進展和成果。北京大學沈波教授帶來了題為“氮化物寬禁帶半導體大失配異質(zhì)外延新進展”的主題報告；山東大學徐現(xiàn)剛教授（朱振博士代）做了題為“GaAs半導體激光器的研究進展”的主題報告；中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員（劉宗亮博士代）帶來了“氮化鎵單晶襯底生長與應(yīng)用進展”的主題報告。山西師范大學校黨委副書記、校長許小紅教授主持了大會報告環(huán)節(jié)。

 

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。

沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分享了藍寶石上AIN AIGaN的外延生長和p型/n型摻雜，Si上GaN、AIN的外延生長的最新研究進展和成果。提出了多種有針對性的的外延生長和p型/n型摻雜方法，發(fā)明了多種有針對性的外延生長方法。報告指出，由于異質(zhì)外延體系大失配，強極性的特征，氮化物的半導體的外延生長和摻雜依然面臨一系列關(guān)鍵科學技術(shù)問題，需從生長動力學，缺陷物理和應(yīng)力控制等角度開展系統(tǒng)的研究。

 

半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x（905-1060）nm系列的半導體激光器芯片在市場需求牽引下發(fā)展迅速，已經(jīng)突破影響激光器的壽命和可靠性問題，實現(xiàn)了從材料、芯片、模組全鏈條產(chǎn)業(yè)化。

 

常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生長的多種方法，難點解決以及研究成果。涉及報告指出，未來向更高功率密度，更小的芯片發(fā)展，需要高質(zhì)量的同質(zhì)外延技術(shù)，氮化鎵單晶襯底的發(fā)展，距離全面的市場成熟，仍然需要更大力度的創(chuàng)新研究。

 

 
主題對話1

主題對話2
 

隨后的主題對話環(huán)節(jié)，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業(yè)界中青代骨干力量齊聚，圍繞著“MOCVD外延技術(shù)和裝備面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢”與“碳化硅、氮化鎵和氧化鎵功率半導體的應(yīng)用領(lǐng)域、關(guān)鍵科學技術(shù)問題及解決之道”兩大主題，臺上臺下展開探討，從不同的角度分享不同見解，觀點碰撞，氣氛熱烈。

 

大會組委會主任、中國科學院半導體研究所研究員王軍喜代表組委會介紹了本屆會議籌辦情況，本次會議得到了業(yè)界、學界廣泛的支持與積極參與，本屆會議為期兩天，包含開閉幕式兩場大會，四個主題分會。邀請報告50個，口頭報告62個，海報展示166張，論文摘要錄用280篇。根據(jù)注冊統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示參會代表超過500人，線上開閉幕式報告直播觀看人次超過5000+。根據(jù)注冊統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示超過200家單位機構(gòu)參與，實際參會人數(shù)近700人。

 

此外，閉幕式期間，大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員，中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長阮軍，山西師范大學校黨委副書記、校長許小紅教授，中北大學校長熊繼軍教授，鄭州大學副校長單崇新教授共同為本次會議優(yōu)秀海報獎獲得者頒發(fā)獎勵。

 
優(yōu)秀海報獎獲得者頒獎

中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長龍世兵教授介紹下一屆會議籌備情況

第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議將由中國科學技術(shù)大學主辦，于湖北恩施舉辦。中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長龍世兵教授介紹了會議籌備情況，并向業(yè)界、學界的專家學者、青年學子們發(fā)出積極邀請。