2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)分會(huì)作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新報(bào)告嘉賓正式出爐！

半導(dǎo)體激光器是以半導(dǎo)體材料為增益介質(zhì)的激光器，依靠半導(dǎo)體能帶間的躍遷發(fā)光，通常以天然解理面為諧振腔。因此其具有波長覆蓋面廣、體積小、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)、泵浦方式多樣、成品率高、可靠性好、易高速調(diào)制等優(yōu)勢。新物理、新概念以及新技術(shù)與半導(dǎo)體激光器的融合，為其發(fā)展注入了新鮮的血液，通過與光學(xué)、電磁學(xué)、微電子學(xué)、拓?fù)鋵W(xué)以及量子力學(xué)的交叉滲透，催生出了許多新體制激光器，它們或者有大規(guī)模的集成應(yīng)用前景，或者有優(yōu)秀的光束和光譜質(zhì)量，或者有更高更穩(wěn)定的輸出功率，或者有更小的體積和突破衍射極限的光斑，或者便于調(diào)制和倍頻，或者具有讓人興奮的微小功耗。其中，半導(dǎo)體激光器在光纖通信領(lǐng)域的發(fā)展?jié)摿薮?。得益于半?dǎo)體激光器成本低、功耗低的優(yōu)勢，目前其已在光纖通信網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域被廣泛地應(yīng)用。

作為IFWS&SSLCHINA2022重要分會(huì)，特邀中科院半導(dǎo)體所研究員曾一平，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授張保平，老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家莫慶偉，中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平，云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員惠峰等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。

目前已經(jīng)確認(rèn)有來自：波蘭高壓物理研究所、日本名城大學(xué)、河南仕佳光子科技股份有限公司、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司等知名企業(yè)專家代表共同參與，就化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)分享主題報(bào)告。

目前初步確認(rèn)報(bào)告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報(bào)告正在確認(rèn)中)

·New devices based on blue laser diodes: SWOT analysis.

Mike LESZCZYNSKI--波蘭高壓物理研究所研究員

·Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers

Tetsuya TAKEUCHI--日本名城大學(xué)教授

·激光雷達(dá)用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片

王 俊--蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司副董事長、首席技術(shù)官

·VCSEL先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用

林勝--寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理

·激光雷達(dá)用的1550nm磷化銦半導(dǎo)體激光器

黃永光--河南仕佳光子科技股份有限公司有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān),中科院半導(dǎo)體所研究員

·氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展

劉建平--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員

·高強(qiáng)度應(yīng)變多量子阱磷化銦激光二極管的應(yīng)變相關(guān)退化研究

房玉龍--中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任

·GaN基微腔激光器的制備

梅洋--廈門大學(xué)助理教授

部分嘉賓簡介

張保平，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授。主要在理化學(xué)研究所和夏普公司進(jìn)行半導(dǎo)體材料的外延生長、檢測與器件研制。2006年加入廈門大學(xué)，任閩江學(xué)者特聘教授至今。主持國家863項(xiàng)目，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目，基金委重點(diǎn)和面上項(xiàng)目，科工局基礎(chǔ)科學(xué)挑戰(zhàn)專題等。目前主要進(jìn)行第三代半導(dǎo)體GaN材料與器件研究，研制了高品質(zhì)GaN諧振腔，率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在大陸唯一報(bào)道了GaN半導(dǎo)體VCSEL，在國際上首次實(shí)現(xiàn)綠光波段和UVC波段VCSEL，以及InGaN量子阱激子極化激元激射。2014~2021年連續(xù)入選愛思唯爾（Elsevier）社發(fā)布的中國高被引學(xué)者榜單。任“Semiconductor Science and Technology”執(zhí)行編輯，“Nano-Micro Letters”《發(fā)光學(xué)報(bào)》《人工晶體學(xué)報(bào)》等編委。

王俊，蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司副董事長、首席技術(shù)官

 王俊，蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司副董事長、首席技術(shù)官。王俊博士有二十多年的高功率半導(dǎo)體激光器行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是全球高功率半導(dǎo)體激光器材料生長和器件認(rèn)知專家。1989年，王俊從中國科學(xué)院碩士畢業(yè)后，自費(fèi)留學(xué)加拿大攻讀光電子工程專業(yè)博士，后供職于美國頂尖公司研發(fā)半導(dǎo)體激光器。機(jī)緣巧合下，王俊了解到國內(nèi)同一領(lǐng)域的狀況后，他希望借助自己的技術(shù)力量，改變祖國激光領(lǐng)域“有器無芯”的歷史。他毅然放棄外國國籍回國效力，加入長光華芯，短短幾年，王俊帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)開展高功率半導(dǎo)體激光器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工作，實(shí)現(xiàn)國家戰(zhàn)略高技術(shù)及民用領(lǐng)域的技術(shù)突破，解決我國高功率半導(dǎo)體激光器“有器無芯”的局面，打破國外的技術(shù)封鎖。王俊先后獲國家重大人才工程、江蘇省“雙創(chuàng)團(tuán)隊(duì)”領(lǐng)軍人才、蘇州時(shí)代新人等榮譽(yù)。2021年獲得吳文俊人工智能科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，2022年獲得江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)。

莫慶偉，老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家。長期致力于半導(dǎo)體發(fā)光材料與芯片器件的研究和產(chǎn)業(yè)化近20年?，F(xiàn)任浙江老鷹半導(dǎo)體技術(shù)有限公司首席科學(xué)家，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)大功率光電子器件技術(shù)的突破，榮獲Global Frost & Sullivan Award for Technology Innovation、Daimler Special Award for Innovation等獎(jiǎng)項(xiàng)。  

Mike LESZCZYNSKI，波蘭高壓物理研究所研究員，波蘭高壓物理研究所教授，半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室主任。TopGaN Lasers副總裁，該公司是為Quantum Tech制造激光二極管的衍生公司。波蘭水晶生長學(xué)會(huì)主席。歐洲水晶生長網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行委員會(huì)成員。發(fā)表了約450篇關(guān)于半導(dǎo)體的論文，被引用約 7500 次（H factor 43）。 

Tetsuya TAKEUCHI，日本名城大學(xué)教授，1999年獲得了明珠大學(xué)的博士學(xué)位。在為一些公司工作之后，他于2010年再次加入明珠大學(xué)，擔(dān)任副教授，2015年擔(dān)任教授。他一直參與III-V化合物半導(dǎo)體的外延生長以及LED、隧道結(jié)和VCSEL的設(shè)計(jì)/制造。

林勝，高級工程師，寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理。1996年畢業(yè)于浙江大學(xué)光儀專業(yè)，多年來一直專注于LED封裝及應(yīng)用產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)和制造。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，承擔(dān)多項(xiàng)國家863計(jì)劃半導(dǎo)體照明工程課題，申請和獲得20多項(xiàng)專利技術(shù)，多次榮獲浙江省和寧波市科技進(jìn)步獎(jiǎng)。

黃永光，博士，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員，河南仕佳光子科技股份有限公司有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān)，中國科學(xué)院大學(xué)研究生導(dǎo)師。目前主要從事半導(dǎo)體激光器研究與產(chǎn)品化工作。參與完成973課題1項(xiàng)、中科院研發(fā)項(xiàng)目1項(xiàng)，作為負(fù)責(zé)人主持了國家自然科學(xué)基金、北京市自然科學(xué)基金和科技部863項(xiàng)目子課題等各1項(xiàng)，近年來發(fā)表論文10余篇，目前主要關(guān)注高速半導(dǎo)體激光器芯片的研發(fā)與應(yīng)用。主要研究領(lǐng)域方向：1）通信技術(shù)中的高速半導(dǎo)體激光器及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究；2）超短脈沖微細(xì)加工技術(shù)及其在新型光電器件中的應(yīng)用。

劉建平，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部研究員。2006年至2010年，在美國佐治亞理工學(xué)院電子與計(jì)算機(jī)工程系從事GaN基激光器、LED、HEMT研究，合作教授為美國工程院院士、MOCVD技術(shù)的先驅(qū)者之一Russell Dupuis教授。2010年5月加入中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，主要從事GaN基光電子材料與器件研究。在佐治亞理工學(xué)院工作期間，研制出高質(zhì)量的GaN基激光器，閾值電流密度、內(nèi)量子效率等指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平（分別為2.5 kA/cm2、92%），研究成果在第15屆國際MOCVD會(huì)議上宣講，并被Semiconductor Today 專題報(bào)道。加入中科院蘇州納米所后，繼續(xù)從事GaN基激光器研究工作，目前已研制出斜率效率達(dá)1.4W/A（外量子效率50%）的藍(lán)光激光器。在國際上首次實(shí)現(xiàn)了非極性A面GaN襯底上藍(lán)光LED的電注入發(fā)光。在國際上較早開展了C面GaN基LED的空穴注入與發(fā)光特性的關(guān)系研究，發(fā)現(xiàn)由于空穴注入的限制，實(shí)際上只有最靠近p-GaN的一個(gè)量子阱發(fā)光，并采用新型多量子結(jié)構(gòu)成功地改善了空穴注入，實(shí)現(xiàn)了多量子阱發(fā)光。在國際上較早開展了InGaN/AlInGaN多量子阱LED和激光器的研究，提高了LED和激光器的內(nèi)量子效率。已在國際刊物Applied Physics Letters、Journal of Crystal Growth等上發(fā)表SCI收錄論文37篇，影響因子在3.0以上的10篇。SCI論文被引次數(shù)為250次以上。

房玉龍，中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員。一直深耕SiC、GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在射頻、光電子、電力電子材料等方向突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，多項(xiàng)成果處于國際領(lǐng)先水平，有力支撐了多項(xiàng)重大裝備發(fā)展和5G、電力電子、光通訊等民品產(chǎn)業(yè)化。先后榮獲省部級科技進(jìn)步獎(jiǎng)、中國電科杰出青年、三代半聯(lián)盟卓越青年等榮譽(yù)。

梅洋，廈門大學(xué)助理教授，2014年本科畢業(yè)于中國地質(zhì)大學(xué)（武漢）電子信息工程專業(yè)，2020年博士畢業(yè)于廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)，2017年至2019年赴東京大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)。9月加盟廈門大學(xué)微電子與集成電路系。主要從事半導(dǎo)體激光器、面發(fā)射激光器、GaN基發(fā)光器件、激子極化激元器件等方面研究。其使用InGaN量子點(diǎn)有源區(qū)制備出了世界上首支綠光面發(fā)射激光器，發(fā)光波長覆蓋“green gap”。研究生期間，曾獲博士研究生國家獎(jiǎng)學(xué)金、唐立新獎(jiǎng)學(xué)金、光華獎(jiǎng)學(xué)金。近幾年，以第一作者在Light：Science & Application、Applied Physics Letter、Semiconductor Science and Technology等國際高水平期刊上發(fā)表多篇學(xué)術(shù)論文。 

更多論壇信息：

會(huì)議時(shí)間：2022年11月7日-10日

會(huì)議地點(diǎn)：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

＊會(huì)議現(xiàn)場報(bào)到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)、碳化硅襯底材料生長與加工、射頻電子材料與器件、碳化硅功率電子材料與器件、氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延、超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、固態(tài)紫外材料與器件、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)、閉幕大會(huì)。

＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)、固態(tài)紫外材料與器件、半導(dǎo)體照明材料與封裝模組、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)、半導(dǎo)體激光器與光通信、教育照明與健康光環(huán)境、光醫(yī)療與健康、閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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