2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州凱賓斯基大酒店召開。

 論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。

江蘇第三代半導體研究院有限公司、蘇州市第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦。

在這場被視為“全球第三代半導體行業(yè)風向標”的盛會上，三天時間里，300多位知名專家+數(shù)百位知名企業(yè)高管代表的業(yè)界超豪華嘉賓陣容，緊扣論壇“低碳智聯(lián)·同芯共贏”大會主題，在開幕大會、主題分會及同期共計近30余場次活動中，全面展現(xiàn)第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈前沿技術進展及產(chǎn)業(yè)發(fā)展“風向"。

在當今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是非常重要的。大部分的重點是在效率、密度和成本上。該設計是高度定制的，方法已達到成熟水平，任何性能屬性的進一步改進，可能都會以犧牲效率、功率密度、成本等為代價。此外，制造過程是勞動密集型的，并在很長時期都維持此種狀態(tài)。與硅對應物相比，新一代寬帶隙功率半導體器件（如SiC和GaN）顯著降低了傳導和開關損耗。當前使用寬禁帶半導體器件的行業(yè)設計實踐主要基于“即插即用”概念，類似的設計實踐是將開關頻率提高 2-3 倍。以這種方式改進是漸進的，未能實現(xiàn)寬禁帶半導體的真正潛力。

美國弗吉尼亞理工大學的大學特聘教授、美國工程院院士、美國國家發(fā)明家院士、中國工程院外籍院士李澤元（Fred C. LEE）在主題報告中分享了在不影響效率的情況下，將開關頻率提高10倍或更多，以及實現(xiàn)系統(tǒng)級異構集成的方法。在這種集成方法中，效率、功率密度、EMI/EMC 的顯著提高同時實現(xiàn)。大多數(shù)電力電子產(chǎn)品的制造過程都可以實現(xiàn)自動化，并有望顯著降低成本。他所提出的方法與當前的做法有很大的不同，也將有可能實現(xiàn)變革性的變化。

嘉賓簡介

Fred C. Lee，研究興趣包括高頻功率轉換、磁學與電磁干擾、分布式電源系統(tǒng)、可再生能源、電能質(zhì)量、高密度電子封裝與集成、建模與控制。在高頻電能轉換和電力電子系統(tǒng)領域做出了卓越成就。他所開創(chuàng)的軟開關技術、多相式電壓調(diào)節(jié)模塊技術均已成為現(xiàn)代電力電子的核心技術，已在全世界廣泛采用。他領導CPES基于電力電子系統(tǒng)模塊集成與自動化制造理念，研發(fā)了一系列新型電力電子集成模塊技術，在21世紀初已被電力電子工業(yè)界大量采用。曾獲得美國電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)電力電子學會最高榮譽William E. Newell電力電子獎，表彰其對電力電子，尤其是高頻電能轉換的貢獻。