2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州凱賓斯基大酒店召開。

論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）聯合主辦。

江蘇第三代半導體研究院有限公司、蘇州市第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新中心、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。

2021年全球功率市場204億美元，硅MOSFET和IGBT占比約60%，2027年增長至305億美元。SiC功率半導體市場約為10.9億美元，預計到2027年將達63億美元，市場滲透率約從5%增長到20%。SiC MOSFET應用涉及新能源汽車、新能源發(fā)電、儲能、工業(yè)電機、消費電子、軌道交通、高壓輸變電等領域。

中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任柏松做了題為“SiC功率MOSFET技術及應用進展”的大會主題報告。報告中詳細介紹了低壓碳化硅MOSFET產品研制進展和市場應用情況，以及面向未來應用需求開展高壓碳化硅器件技術開發(fā)的最新進展等。

報告認為，新能源汽車產業(yè)高速發(fā)展，推動SiC MOSFET市場規(guī)?？焖偬嵘BC應用實現較高滲透率，電機控制器將成為規(guī)模最大應用領域。

光伏發(fā)電/儲能應用中，SiC MOSFET在10kW-200kW家用和工業(yè)應用中具有綜合性價比優(yōu)勢，使逆變器轉換效率提升至99%以上。光伏儲能一體化應用快速增長，儲能端DC-DC轉換采用SiC MOSFET，具有顯著的效率、體積和重量優(yōu)勢。

軌道交通應用中，國內外快速機車牽引逆變器、輔助功率系統上使用1700V-6500V SiC功率模塊，開展示范應用。高壓SiC MOSFET替代IGBT模塊，體積縮小95％，損耗降低80％。

柏松指出，新能源汽車、光伏和儲能等中低壓應用推動了碳化硅電力電子產業(yè)快速增長。解決高可靠、高電流密度碳化硅MOSFET器件設計、制造、封裝等問題是實現持續(xù)增長的關鍵。碳化硅在電網、軌道交通等高壓領域的應用優(yōu)勢得到初步展示，亟待聯合攻關實現批量工程應用。 

嘉賓簡介

柏松，博士，研究員，中國電科集團首席專家，寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任，國家科技重大專項、國家重點研發(fā)計劃項目和課題負責人，長期從事碳化硅電力電子器件技術研究，致力于提高碳化硅器件性能和可靠性，研制出先進的碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT。