碳化硅既是芯片領(lǐng)域鍛造長(zhǎng)板的重大機(jī)會(huì)，也是快速響應(yīng)新能源低碳經(jīng)濟(jì)、電力電子革命的重要抓手，是國(guó)家芯片和新能源戰(zhàn)略交匯點(diǎn)。作為功率芯片定位，碳化硅芯片制程對(duì)線(xiàn)寬和集成度的要求低于大規(guī)模集成電路，是國(guó)產(chǎn)裝備規(guī)?；瘧?yīng)用從泛半導(dǎo)體走向高端的極佳發(fā)展平臺(tái)。

2023年5月5日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”于長(zhǎng)沙開(kāi)幕。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所聯(lián)合組織。

開(kāi)幕大會(huì)上，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮做《碳化硅芯片制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展》的主題報(bào)告，詳細(xì)分享裝備技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)。

當(dāng)前國(guó)產(chǎn)裝備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有，全面起步，對(duì)國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)從中試到量產(chǎn)的進(jìn)程起到了較好的支撐。器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)模化生產(chǎn)對(duì)裝備支撐能力不斷提出新要求，向大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染、新工藝協(xié)同等方面的發(fā)展成為裝備技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì)。8英寸進(jìn)程加速，集成電路技術(shù)向第三代半導(dǎo)體滲透，6/8英寸兼容產(chǎn)線(xiàn)已成為趨勢(shì)；工藝線(xiàn)對(duì)核心設(shè)備的效率和產(chǎn)能要求持續(xù)提升，裝備性能、產(chǎn)能提升基礎(chǔ)上面向不同工藝處理特點(diǎn)進(jìn)一步分型，以更好適應(yīng)規(guī)模化量產(chǎn)；高溫工藝沾污控制、晶圓自動(dòng)化處理等方面的要求持續(xù)提升，對(duì)裝備整機(jī)與先進(jìn)材料、零部件等前端協(xié)同迭代提出新要求；材料生長(zhǎng)與加工、器件新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)乃至顛覆性解決方案的發(fā)展也主要依賴(lài)于裝備創(chuàng)新。

中國(guó)電科48所圍繞SiC外延和芯片制造全鏈條開(kāi)展核心裝備開(kāi)發(fā)、迭代與應(yīng)用，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)發(fā)出碳化硅成套關(guān)鍵裝備并逐步成熟，以SiC外延、高溫高能離子注入、高溫激活退火、高溫氧化為代表的系列設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用，6英寸機(jī)型國(guó)內(nèi)批產(chǎn)應(yīng)用+訂單近200臺(tái)套，支撐SiC器件生產(chǎn)企業(yè)規(guī)?？焖偕狭浚⒃?023年全面形成6-8英寸兼容裝備解決方案。

報(bào)告指出，當(dāng)前行業(yè)關(guān)注度已下沉至原材料、零部件、測(cè)試儀器、工業(yè)軟件等更為基礎(chǔ)的領(lǐng)域，需要積極構(gòu)建強(qiáng)大而健康的生態(tài)鏈協(xié)同發(fā)展。48所將依托國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）平臺(tái)，積極布局原始創(chuàng)新和正向設(shè)計(jì)，加強(qiáng)工藝協(xié)同與持續(xù)迭代，打通從科學(xué)到技術(shù)、從技術(shù)到產(chǎn)品的創(chuàng)新鏈，協(xié)同解決核心零部件產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈“堵點(diǎn)”，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)裝備技術(shù)水平和應(yīng)用規(guī)模進(jìn)一步提升，適應(yīng)化合物特性和工藝的快速變革式發(fā)展和大批量應(yīng)用要求。

嘉賓簡(jiǎn)介

鞏小亮，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任，電科裝備高級(jí)技術(shù)專(zhuān)家，長(zhǎng)期從事第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)致力于外延生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)研究，主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、湖南省十大技術(shù)攻關(guān)等重大項(xiàng)目10余項(xiàng)，發(fā)表論文10余篇，授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利6項(xiàng)，牽頭制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)，獲國(guó)資委重大工程突出貢獻(xiàn)個(gè)人、湖南省科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、CASA第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年、中國(guó)電科科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、中國(guó)電科“十大青年拔尖人才”等榮譽(yù)。