近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，南京郵電大學(xué)張茂林帶來了“氧化鎵材料生長與陣列探測器研究”的主題報告，其研究主要方向為重點開展寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵(Ga₂O₃)晶體的制備與器件物理方面的研究；優(yōu)化晶體質(zhì)量，趕超國際水平，發(fā)展相關(guān)器件的系統(tǒng)應(yīng)用。

報告分享了薄膜CVD生長以及陣列探測器與應(yīng)用的研究進(jìn)展與成果。詳細(xì)介紹了氧化鎵晶體薄膜MOCVD生長/襯底制備，LSPR增強(qiáng)Pt/Ga₂O₃復(fù)合薄膜光響應(yīng)，PECVD生長Ga₂O₃薄膜，Mist-CVD 生長α相Ga₂O₃薄膜，Ga₂O₃基日盲紫外探測陣列器件（4×4），16單元Ga₂O₃矩形陣列，晶圓Ga₂O₃陣列探測器的紫外成像，晶圓Ga₂O₃陣列探測器的紫外通訊，自供電Ga₂O₃基肖特基光電二極管陣列等研究內(nèi)容。

研究基于現(xiàn)有設(shè)備技術(shù)改進(jìn)PECVD、Mist-CVD生長Ga₂O₃薄膜；利用LSPR增強(qiáng)Pt/Ga₂O₃復(fù)合薄膜光響應(yīng)，提高了探測器性能；不斷擴(kuò)大Ga₂O₃陣列探測器規(guī)模，分別對MSM結(jié)構(gòu)陣列和肖特基陣列展開了研究；從紫外成像和通訊方面出發(fā)，拓展了Ga₂O₃陣列探測器應(yīng)用范圍。

據(jù)介紹，南郵氧化鎵半導(dǎo)體創(chuàng)新中心(IC-GAO)科研團(tuán)隊，2014年實現(xiàn)Ga₂O₃外延生長，研制第一支GAO基日盲紫外探測器原型器件，發(fā)表第1篇學(xué)術(shù)論文。2016年Ga₂O₃已經(jīng)成為北郵活躍的科研主題之一。2017年獲得2英寸高質(zhì)量外延，研制出第一只日盲紫外探測陣列器件，成為氧化鎵領(lǐng)域的最活躍的研究組，成立北京鎵族科技有限公司邁上產(chǎn)業(yè)化實踐之路。2018年承擔(dān)北京市科委重點研發(fā)計劃，突破3英寸晶體和外延技術(shù)。突破2-4英寸單晶生長和外延技術(shù)。小批量供應(yīng)2英寸單晶襯底及外延片。實現(xiàn)16×16光電探測器件陣列化。2023年度完成A輪融資6500萬元，估值2.5億元。

CASICON 系列活動簡介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>